1.IC 通过一系列特殊的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件和电阻，电容等无源器件按照一定的电路结构互连，“集成”在半导体单晶片（硅或者砷化镓）上，封装在一个外壳里面，从而完成特定的电路或者系统功能 Chapter 2
2.集成电路电阻：1.扩散电阻（中温度系数，中阻值）2.夹断电阻（上拉，下拉电阻，高温度系数，精度差）3.阱电阻 （夹断电阻的变形，应用于音频电路）4.多晶硅电阻（寄生电容小，温度系数小，电压系数好）
3.寄生电阻对电路影响：功率损耗，信号串扰，噪声
4.电容：两层板的材质可以是金属。多晶硅。扩散区，pn结电容，mos电容(多晶硅栅与源漏两级)
5.寄生电容对电路的影响：电路震荡，电路不稳定，信号串扰失调，影响电路高频特性，滤波
6.多子扩散使空间电荷区变宽，而少子漂流变窄，内电场越强就会使漂移越剧烈最终达到平衡
7.加正向电压使空间电荷区的宽度变窄，导通电阻变窄，扩散电流变强，内电场被削弱 8.双极性器件高速，耐久，功耗大，功率高，cmos电路高集成度，低功耗（场控器件） 9.cmos以及npn管电路的工作原 Chapter 3
10. 晶圆制备：
原材料（沙子，石英等矿石）（冶炼，酸洗，蒸馏，还原）多晶体硅SGS（晶体生长）单晶硅(研磨，抛光，切割) 晶片
11.单晶硅的生长a.直拉法：材料可重复使用，更普遍，成本更低，尺寸更大，位错，电阻率低，氧化高，大晶体，有坩埚 b.区熔法：单晶硅纯度高，成本更高，功率器件，尺寸更小（简答？）单晶拉伸与转动结构，籽晶，单晶硅，熔融的多晶硅，石英坩埚，碳加热部件，热屏蔽，水套 工艺流程：籽晶熔接，引晶和缩颈，放肩，等襟生长，收晶 关键参数：拉伸速率和晶体旋转速度，关键问题：掺杂和氧杂 双极 111 45,0 cmos 100 180,90
12.硅片制备：单晶生长，单晶硅锭，去头径向研磨，定位边研磨，硅片切割，倒角，粘片，刻蚀，抛光，硅片检查 （简答？）
13.外延层的特点及其应用：1.单晶（与衬底晶向相同），2.不同工艺外延层厚度不同，3.厚度，掺杂浓度，导电性能可以按照具体情况而变动，可以是多层，4.没有玷污 5.提高电路性能，降低冉锁效应 ？
14.定位边沿切 （简答？如何标识）
Chapter4
15.氧化，光刻胶，掩膜与硅片对准曝光，显影，氧化硅刻蚀，去除光刻胶，氧化，多晶硅淀积，多晶硅光刻刻蚀，离子注入，有源区，氮化硅淀积，接触刻蚀，金属淀积刻蚀 16. 抛光 薄膜 扩散 光刻 刻蚀 测试/拣选 注入
相关推荐：
loading