第一范文网 - 专业文章范例文档资料分享平台

模拟电子技术基础教案97083.

来源:用户分享 时间:2025/7/1 2:40:39 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
说明:文章内容仅供预览,部分内容可能不全,需要完整文档或者需要复制内容,请下载word后使用。下载word有问题请添加微信号:xxxxxxx或QQ:xxxxxx 处理(尽可能给您提供完整文档),感谢您的支持与谅解。

与双极型晶体管放大电路类似,分析场效应管放大电路的静态工作点,也有两种方法,解析法和图解法 【另一种解法】

(1)在输出特性曲线上,根据输出回路直流负载线方程

的输出特性曲线有不同

作直流负载线MN,如图(d)所示。MN与不同的交点。Q点应该在MN上。

图(c) 图(d)

(2)由交点对应的性,如图 (c)所示。

、值在~坐标上作曲线,称为~控制特

(3)在控制特性上,根据输入回路直流负载线方程

代入

,可作出输入回路直流负载线。该负载线过原点,其斜率为

即为静态工作点。由此可得

,与控制特性曲线的 交点

(4)根据由

点可得

,在输出回路直流负载线上可求得工作点

,再

【例3-3】 两个场效应管的转移特性曲线分别如图 (a)、(b)所示,分别确定这两个场效应管的类型,并求其主要参数(开启电压或夹断电压,低频跨导)。测试时电流iD的参考方向为从漏极D到源极S。

(a)

(b)

【相关知识】

(1)场效应管的转移特性。 (2)场效应管的电参数。 【解题思路】

根据场效应管的转移特性确定其开启电压或夹断电压,及在某一工作点处的跨导。 【解题过程】

(a)图曲线所示的是P沟道增强型MOS管的转移特性曲线。其开启电压UGS(th)=-2V,IDQ= -1mA

在工作点(UGS=-5V, ID=-2.25mA)处,跨导

(b)图曲线所示的是N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线,其夹断电压

在工作点(UGS=-2V, ID=1mA)处,跨导

搜索更多关于: 模拟电子技术基础教案97083. 的文档
模拟电子技术基础教案97083..doc 将本文的Word文档下载到电脑,方便复制、编辑、收藏和打印
本文链接:https://www.diyifanwen.net/c0ln123zrpe0wacw0f2p46m3qp9xkpa00yky_10.html(转载请注明文章来源)
热门推荐
Copyright © 2012-2023 第一范文网 版权所有 免责声明 | 联系我们
声明 :本网站尊重并保护知识产权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果我们转载的作品侵犯了您的权利,请在一个月内通知我们,我们会及时删除。
客服QQ:xxxxxx 邮箱:xxxxxx@qq.com
渝ICP备2023013149号
Top