100V MOS管100V场效应管30N10低结电容低内阻HG021N10L

来源：用户分享时间：2025/7/27 12:01:29 本文由

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HG021N10L参数：100V30A ，丝印：HG021N10L ，类型：N沟道场效应管，内阻25mR，低结电容890pF，封装：TO-252，低开启电压1.6V，低内阻，结电容小,低开启电压

型号：HC080N06L N沟道场效应管 60V17A 15N06 TO-252封装，内阻70mR

型号：HC080N06LS N沟道场效应管丝印HC606 60V6A SOT23-3封封装内阻90mR

型号：HC706 N沟道场效应管 60V7A SOP-8封装内阻80mR

型号：HC020N03L N沟道场效应管 30V30A TO-252 内阻20mR

型号：HC3600M N沟道场效应管 30V8A SOT23-3封装内阻22mR

型号：HC3400M N沟道场效应管 30V5.8A SOT23-3封装内阻30mR

型号：HC1033D N沟道场效应管 100V8A DFN3*3封装内阻145毫欧

型号：HC1019D N沟道场效应管 100V14A DFN3*3封装内阻84毫欧

型号：HC1006DD N沟道场效应管 100V30A DFN3*3封装内阻20毫欧

型号：HC6033D N沟道场效应管 60V13A DFN3*3封装内阻70毫欧

型号：HC6019D N沟道场效应管 60V20A DFN3*3封装内阻30毫欧

型号：HC5511D N沟道场效应管 55V40A DFN3*3封装内阻13毫欧

型号：HC3022D N沟道场效应管 30V45A DFN3*3封装内阻13毫欧

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