压接口及模块储存区域
2.CAS Latency Time：
这个项目可控制DRAM读取指令与数据成为真正可用的时间之间的延迟时间。较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行操作系统，我们应当尽量把CAS参数调低,从而提高内存的运行速度。
反过来，如果内存运行不稳定，可以将此参数设大，以提高内存稳定性。
3. Act to Precharge Delay：
这个项目控制了给DRAM参数使用之DRAM频率的数值。同理，数值小性能高，但是对内存的质量也要求严格！
4.DRAM RAS# to CAS# Delay：
这个项目可控制DRAM作用指令与读取/写入指令之间的延迟时间，有2，3，4几种选择。数值越小，性能越好。
5. DRAM RAS# Precharge：
这个项目是用来控制当预充电（precharge）指令送到DRAM之后，频率等待启动的等待时间。预充电参数越小则内存读写速度就越快。
以上的内存参数设置一般可以不动！让默认的就可以了，但是超频玩者是肯定不会放过任何可以提高性能的东西的，所以如果你想在这里让你的电脑提升一点性能的话，就必须
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