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MTC110A1600V可控硅模块

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特点:

■芯片与底板电气绝缘,2500V交流绝缘

■采用德国产玻璃钝化芯片焊接,优良的温度特性和功率循环能力 ■体积小,重量轻 典型应用: ■加热控制器 ■交直流电机控制 ■各种整流电源 ■交流开关

IT(AV) 110A VDRM/VRRM 600~1800V ITSM 2.4KA I2T 29 103A2S

结温 参数值 符号 参数 测试条件 Tj最小 典型 最大 (℃) IT(AV) 通态平均180°正弦半波,50HZ单面散电流 热,Tc=85℃ 125 110 A 单位 方均根电 IT(RMS) 流 断态重复VDRM VRRM 峰值电压 VDRM&VRRM tp=10ms 反向重复VDsM&VRsM= VDRM&VRRM+200V 峰值电压 断态重复IDRM IRRM 峰值电流 VDM= VDRM 反向重复VRM= VRRM 峰值电流 通态不重ITSM 复浪涌电10ms底宽,正弦半波 流 浪涌电流I2t 平均时间VR=0.6 VRRM 积 VTO RT VTM 门槛电压 斜率电阻 通态峰值电压 断态电压临界上升ITM=330A 125 173 A 125 600 1600 1800 V 125 12 mA 125 2.40 KA 125 29 103A2S 125 25 0.8 V 2.29 mΩ 1.50 1.60 V dv/dt VDM=67%VDRM 125 800 V/μs 率 通态电流ITM=330A 门极触发电流幅值 di/dt 临界上升IGM=1.5A,门极电流上升时间率 IGT 门极触发电流 门极触发电压 VA=12V,IA=1A 25 125 tr≤0.5μs 30 40 100 mA 125 100 A/μs VGT IH VGD 0.8 1.0 2.5 V 20 100 mA 0.2 V 维持电流 门极不触发电压 热阻抗(结至壳) 热阻抗(结至散) 绝缘电压 安装扭矩50HZ,R.M.S,t=1min Iiso:1Ma(max) 180°正弦半波,单面散热 180°正弦半波,单面散热 VDM=67%VDRM Rth(j-c) 0.250 ℃/W Rth(c-h) 0.15 ℃/W Viso 2500 V Fm (M5) 安装扭矩(M6) 2.0 3.0 N·m N·m Tsbg Wt 储存温度 质量 -40 125 ℃ 140 g Outline M220、M225

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