1、稀土元素是指元素周期表中原子序数为57到71的15种镧系元素，以及与镧系元素化学性质相似的钪(Sc)和钇(Y)共17种元素。稀土元素有“工业维生素”的美称，如今已成
为极其重要的战略资源。
（1）钪(Sc)为
21号元素，位于周期表的_____区，基态原子价电子排
布图为_______。
（2）离子化合物Na3[Sc(OH)6]中，存在的化学键除离子键外还有_______。
（3）Sm(钐)的单质与l，2－二碘乙烷可发生如下反应：Sm +ICH2CH2I→SmI2+CH2=CH2。ICH2CH2I中碳原子杂化轨道类型为______, lmol CH2=CH2中含有的σ键数目为______。常温下l，2－二碘乙烷为液体而乙烷为气体，其主要原因是__________
（4）与N3-互为等电子体的分子有________________（写两个化学式）。（5）Ce（铈）单质为面心立方晶体，其晶胞参数a=516pm。晶胞中Ce（铈）原子的配位数为_______，列式表示Ce（铈）单质的密度：________g/cm3（用NA表示阿伏伽德罗常数的值，不必计算出结果） （物质结构与性质）（15分）钛呈银白色，因它坚硬、强度大、耐2、
热、密度小，被称为高技术金属。目前生产钛采用氯化法，即将金红石或钛铁矿与焦炭混合，通入氯气并加热制得TiCl4：
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2FeTiO3+7Cl2+6CTiCl4+2CO
2TiCl4+2FeCl3+6CO； TiO2+2Cl2+2C
将TiCl4蒸馏并提纯，在氩气保护下与镁共热得到钛：TiCl4+2Mg
Ti+2MgCl2
MgCl2和过量Mg用稀盐酸溶解后得海绵状钛，再在真空熔化铸成钛锭。请回答下列问题： （
1
）
基
态
钛
原
子
的
价
电
子
排
布
式
为 。
（2）与CO互为等电子体的离子为 （填化学式）。 （3）在CH2Cl2、C6H6、CO2、C2H4中，碳原子采取sp杂化的分子有 。
（4）TiCl4在常温下是无色液体，在水或潮湿空气中易水解而冒白烟。则TiCl4属于
(填“原子”、“分子”或“离子”)晶体。
（5）与钛同周期的另一种元素钴(Co)可形成分子式均为Co(NH3)5BrSO4的两种配合物，其中一种化学式为[Co(NH3)5Br]SO4，往其溶液中加BaCl2溶液时，现象是 ；往另一种配合物的溶液中加入BaCl2溶液时，无明显现象，若加入AgNO3
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溶液时，产生淡黄色沉淀，则第二种配合物的化学式为 。
（6）在自然界中TiO2有金红石、板钛矿、锐钛矿三种晶型，其中金红石的晶胞如右图所示，则其中Ti4+的配位数为 。 3、 已知A、B、C为三种常见的单质，能发生如图1所示的转化关系，B的一种同素异形体的晶胞如图2所示。 回答下列问题：
（1）形成A的元素在周期表中的位置是
__________________________________，A对应的基态原子的价电子排布为_____________________。
（2）在B单质对应的基态原子中，核外存在___________对自旋方向相反的电子。
（3）写出Y的一种常见等电子体分子的结构式
__________________________；两者相比较沸点较高的是__________Y分子中B对应原子的杂化方式为_________________。 （填化学式）；（4）配合物A(Y)x常温下呈液态，熔点为-20.5℃，沸点为103℃，易溶于非极性溶剂，据此可判断A(Y)x晶体属于________________（填晶体类型）。A(Y)x的中心原子价电子数与配体提供的电子数之和为18，A(Y)x在一定条件下发生反应A(Y)x (s) 则x=__________。
A
(s) + x Y (g)，已知反应过程中只断裂配位键，由此判断该反应所形成
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的化学键类型是_____________。
（5）在图2晶胞中，每个晶胞平均占有__________个原子，若距离最近的两个原子的距离为L cm，晶胞边长为a cm，根据硬球接触模型，则L=_________a，晶胞的密度ρ=___________g·cm-3（用含a、NA代数式表示）。
4、以氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点，如砷化镓灯泡寿命是普通灯泡的100倍，而耗能即为10%，推广砷化镓等发光二极管（LED）照明，是节能减排的有效举措。请回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，基态镓原子的电子排布式为__________________，核外电子占据最高能层符号为________。 （2）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以_______键相结合，氮化镓属于_______晶体。 （3）下列说法正确的是________
A．第一电离能：As < Ga B．砷和镓都属于p区元素 C．电负性：As < Ga D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体
（4）① 砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3用MOCVD(金属有机物化学气相淀积)方法制备得到的，该反应在700℃进行，反应的方程式为：
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