在中频段
由于耦合电容和发射极旁路电容的容量较大，故对中频段信号的容抗很小，可视作短路。 三极管的极间电容和导线的分布电容很小，可认为它们的等效电容CO与负载并联。由于CO 的电容量很小，它对中频段信号的容抗很大，可视作开路
所以，在中频段可认为电容不影响交流信号的传送，放大电路的放大倍数与信号频率无关。 (前面所讨论的放大倍数及输出电压相对于输入电压的相位移均是指中频段的) 在低频段：
由于信号的频率较低，耦合电容和发射极旁路电容的容抗较大，其分压作用不能忽略。以至实际送到三极管输入端的电压比输入信号要小，故放大倍数降低，并使产生越前的相位移（相对于中频段）。
O
的容抗比中频段还大，仍可视作开路。
所以，在低频段放大倍数降低和相位移越前的主要原因是耦合电容和发射极旁路电容的影响。 在高频段：
由于信号的频率较高，耦合电容和发射极旁路电容的容抗比中频段还小，仍可视作短路。 CO的容抗将减小，它与负载并联，使总负载阻抗减小，在高频时三极管的电流放大系数 b 也下降，因而使输出电压减小，电压放大倍数降低，并使产生滞后的相位移（相对于中频段）。
所以，在高频段放大倍数降低和相位移滞后的主要原因是三极管电流放大系数 b、极间电容和导线的分布电容的影响。
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