Ch.5 化学气相沉积
本章主要内容
★化学气相沉积的基本原理★化学气相沉积的特点★CVD方法简介
★低压化学气相沉积（LPCVD）★等离子体化学气相沉积★其他CVD方法
化学气相沉积——基本原理★化学气相沉积的基本原理??化学气相沉积的定义（CVD）化学气相沉积是利用气态物质通过化学反应在基片表面形成固态薄膜的一种成膜技术。CVD反应指反应物为气体而生成物之一为固体的化学反应。化学气相沉积——基本原理按照不同方式的分类：??常压 CVD：无需真空、靠载气输运、污染较大?按工作压力不同，可分为 ??低压 CVD：易于气化反应物、无载气、污染小????低温 CVD（200~500℃）??按沉积温度不同，可分为 ?中温 CVD（500~1000℃）???高温 CVD（1000~1300℃）?????热壁 CVD：整炉高温、等温环境?按加热方式不同，可分为 ????冷壁 CVD：局部加热（仅基片和基片架）????热激活（普通 CVD）???按反应激活方式不同，可分为 ?光致活化 CVD（紫外光、激光、可见光）??等离子体激活（PECVD）??化学气相沉积——基本原理??CVD和PVD（CVD完全不同于物理气相沉积（PVD））CVD方法与PVD方法比较项目物质源激活方式制备温度成膜速率用途PVD生成膜物质的蒸气，反应气体消耗蒸发热，电离等250-2000℃（蒸发源）25℃-合适温度（基片）25-250um/h装饰，电子材料，光学所有固体（c、Ta、w困难），卤化物和热稳定化合物CVD含有生成膜元素的化合物蒸气．反应气体等提供激活能，高温，化学自由能150-2000℃（基片）25-1500um/h材料精制，装饰，表面保护，电子材料碱金属，碳化物，氮化物，硼化物，氧化物，硫化物，硒化物，碲化物，金属化合物，合金可制作薄膜的材料
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