（仅供参考）化学气相沉积 - 图文

化学气相沉积——基本原理（3）氢化物和金属有机化合物系统Ga(CH3)3+ AsH3????→ GaAs + 3CH4↑Cd(CH3)2+ H2S ???→ CdS + 2CH4↑广泛用于制备化合物半导体薄膜。（4）其它气态络合物、复合物羰基化合物：475℃630??675℃Pt(CO)2Cl2???→ Pt + 2CO↑ + Cl2↑Ni(CO)4????→ Ni + 4CO↑140-240℃600℃单氨络合物：AlCl3?NH3????→ AlN + 3HCl↑800-1000℃化学气相沉积——基本原理??化学合成反应化学合成反应是指两种或两种以上的气态反应物在热基片上发生的相互反应。(1) 最常用的是氢气还原卤化物来制备各种金属或半导体薄膜；(2) 选用合适的氢化物、卤化物或金属有机化合物来制备各种介质薄膜。化学合成反应法比热分解法的应用范围更加广泛。可以制备单晶、多晶和非晶薄膜。容易进行掺杂。化学气相沉积——基本原理1) 还原反应（Reduction）:用氢气作为还原剂还原气态的卤化物、羰基卤化物和含氧卤化物。SiCl4+2H2(g)???→Si(s)+4HCl(g)WF6+3H2(g)???→W(s)+6HF(g)MoF6+3H2(g)???→Mo(s)+6HF(g)3000C12000C3000C化学气相沉积——基本原理2）氧化反应(Oxidation)定义：薄膜由气体氧化反应产物沉积而成。1）反应气体：氧化性气氛（如：O2）+ 其它化合物气体。2）典型反应：制备SiO2薄膜的两种方法：SiH4(g) + O2(g) ?SiO2(s) + 2H2(g) 450℃SiCl4(g) + 2H2(g) + O2(g) ?SiO2(s) + 4HCl (g) 1500℃化学气相沉积——基本原理3）反应沉积(置换反应)定义：薄膜由置换反应生成的碳化物、氮化物、硼化物沉积而成。1）反应气体：卤化物+ 碳、氮、硼的氢化物气体。2）典型反应：■硅烷、甲烷置换反应制备碳化硅薄膜：SiCl4(g) + CH4(g) ?SiC(s) + 4HCl(g) 1400℃■二氯硅烷与氨气反应沉积氮化硅薄膜：3SiCl2H2(g) + 4NH3(g) ?Si3N4(s) + 6H2(g) + 6HCl(g) 750℃■四氯化钛、甲烷置换反应制备碳化钛薄膜：TiCl4(g) + CH4(g) ?TiC(s) + 4HCl(g)