中级维修电工理论知识复习题—电子技术
一、选择题（每题1分）：
1-25．型号为 2AP9的晶体二极管表示（ D ）。
（Ａ）Ｎ型材料整流管（Ｂ）Ｎ型材料稳压管（Ｃ）Ｎ型材料开关管（Ｄ）Ｎ型材料普通管
15-8. 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为( C )。 A、0.5V B、0.7V C、0.3V D、0.1V 2-53．用于整流的二极管型号是（ C ）。
（Ａ）2ＡＰ9 （Ｂ）2ＣＷ14Ｃ （Ｃ）2ＣＺ52B （Ｄ）2ＣＫ84Ａ 3-52．下面型号中，表示稳压管型号的是（ B ）。
（Ａ）2AP1 （Ｂ）2CW54 （Ｃ）2CK84A （Ｄ）2CZ50 9-42．当反向电压小于击穿电压时二极管处于（ B ）状态。
（Ａ）死区 （Ｂ）截止 （Ｃ）导通 （Ｄ）击穿 9-43．晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性是（ B ）。
（Ａ）电压微变，电流微变 （Ｂ）电压微变，电流剧变· （Ｃ）电压剧变，电流微变 （Ｄ）电压不变，电流剧变 9-69．晶体二极管正偏导通时，外电场（ A ）。
（Ａ）与ＰＮ结内电场方向相反，扩散运动加强 （Ｂ）与ＰＮ结内电场方向相同，漂移运动加强 （Ｃ）与ＰＮ结内电场方向相同，扩散运动减弱 （Ｄ）与ＰＮ结内电场方向相反，漂移运动减弱 9-70．硅二极管正向导通，其管压降为（ A ）。
（Ａ）０.７ Ｖ （Ｂ）０.３ Ｖ （Ｃ） 1Ｖ （Ｄ） ０.1Ｖ 3-49．晶体二极管正向偏置是指（ A ）。
（Ａ）正极接高电位，负极接低电位 （Ｂ）正极接低电位，负极接高电位 （Ｃ）二极管没有正负极之分 （Ｄ）二极管的极性任意接 8-52．二极管两端加上正向电压时（ B ）。
（Ａ）一定导通（Ｂ）超过死区电压才导通 （Ｃ）超过0.3Ｖ才导通（Ｄ）超过0.7Ｖ才导通 14-62．半导体整流电路中使用的整流二极管应选用（ D ）。
A、变容二极管 B、稳压二极管 C、点接触型二极管 D、面接触型二极管
（ √ ）3-97．晶体二极管具有单向导电性。
（ × ）8-99．二极管正向电阻比反向电阻大
（ √ ）11-49．按制作材料，晶体二极管可分为硅管和锗管。
9-45．硅稳压二极管与整流二极管不同之处在于（ B ）。
（Ａ）稳压管不具有单向导电性 （Ｂ）稳压管可工作在击穿区，整流二极管不允许 （Ｃ）整流二极管可工作在击穿区，稳压管不能 （Ｄ）稳压管击穿时端电压稳定，整流管则不然
15-21. 硅稳压二极管与一般二极管不同的是，稳压管工作在( B )。
A、击穿区 B、反向击穿区 C、导通区 D、反向导通区 3-51．欲使硅稳压管工作在击穿区，必须（ D ）。
（Ａ）加正向电压，且大于死区电压 （Ｂ）加正向电压，且小于死区电压 （Ｃ）加反向电压，且小于击穿电压 （Ｄ）加反向电压，且大于击穿电压 3-53．硅稳压管稳压电路中，若稳压管稳定电压为10Ｖ，则负载电压为（ A ）。
（Ａ）等于10Ｖ （Ｂ）小于10Ｖ （Ｃ）大于10Ｖ （Ｄ）无法确定 2-62．硅稳压管加正向电压时，（C ）。
（Ａ）立即导通 （Ｂ）超过0.3Ｖ导通 （Ｃ）超过死区电压导通 （Ｄ）超过ＩＶ导通 5-58．在硅稳压管稳压电路中，限流电阻的一个作用是（ D ）。
（Ａ）减小输出电流 （Ｂ）减小输出电压 （Ｃ）使稳压管工作在截止区 （Ｄ）调节输出电压 （ × ）1-87．在硅稳压管稳压电路中，稳压管必须与负载串联。 （ × ）11-51．稳压二极管若工作在击穿区，必然烧毁。 （ × ）11-148．硅稳压管只要工作在击穿区就立即损坏。
中级维修电工理论知识复习题—电子技术 第 1 页 共 11 页
9-44．锗低频小功率三极管型号为（ C ）。
（Ａ） ３ＺＤ （Ｂ） ３ＡＤ （Ｃ） ３ＡＸ （Ｄ） ３ＤＤ
2-61．晶体三极管内部ＰＮ结的个数有（ B ）个。 （Ａ）１（Ｂ）２（Ｃ）３（Ｄ）４ 3-50．估测三极管穿透电流时，（ A ）说明三极管性能较好。
（Ａ）阻值很大，指针几乎不动 （Ｂ）阻值很小，指针缓慢摆动 （Ｃ）阻值很小，指针较快摆动 （Ｄ）无法判定
5-56．在ＮＰＮ型晶体三极管放大电路中，如将其基极与发射极短路，三极管所处的状态是（ A ）。 （Ａ）截止 （Ｂ）饱和 （Ｃ）放大 （Ｄ）无法判定
7-72．三极管的开关特性是（ D ）。 （Ａ）截止相当于开关接通 （Ｂ）放大相当于开关接通 （Ｃ）饱和相当于开关接通 （Ｄ）截止相当于开关断开，饱和相当于开关接通
10-70．开关三极管一般的工作状态是（ D ）。（A）截止 （B）放大（C）饱和 （D）截止和饱和 14-60．如图所示电路中，三极管工作状态是（ B ）。 A、放大 B、饱和 C、截止 D、击穿 13-10. 三极管放大区的放大条件为( C )。
A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏或零偏，集电结反偏 C、发射结和集电结正偏 D、发射结和集电结反偏 7-69.放大电路设置静态工作点的目的是（ B ）。
（Ａ）提高放大能力 （Ｂ）避免非线性失真 （Ｃ）获得合适的输入电阻和输出电阻 （Ｄ）使放大器工作稳定 （ √ ）11-50．晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。 （ × ）9-99．在实际工作中，ＮＰＮ型三极管和ＰＮＰ型三极管可直接替换。 （ √ ）11-110．实际工作中，放大三极管与开关三极管不能相互替换。 ( × ) 14-95. 在实际工作中整流二极管和稳压二极管可互相代替。 ( × )15-85. 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。
( √) 20-94.开关电路中，欲使三极管工作在饱和状态，其输入电流必须大于或等于三极管临界饱和电流。
2-63．在共发射极放大电路中，静态工作点一般设置在（ D ）。 （Ａ）直流负载线的上方 （Ｂ）直流负载线的中点上 （Ｃ）交流负载线的下方 （Ｄ）交流负载线的中点上
9-48．在共发射极放大电路中，若静态工作点设置过低，易产生（ C ）。
（Ａ）饱和失真 （Ｂ）交越失真 （Ｃ）截止失真 （Ｄ）直流失真 10-67．阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（ A ）。
（A）第一级输入电阻 （B）各级输入电阻之和（C）各级输入电阻之积 （D）末级输入电阻
15-32．在图中所示放大电路，已知Ucc=6V、Rc=2KΩ、RB=200KΩ、?=50。放大电路的静态工作点为( A )。 A、30?A B、1.5mA C、3mA D、1mA
3-55．在三种基本组合状态的放大电路中，输入电阻最低的是（ C ）电路。 （Ａ）共射放大 （Ｂ）共集放大 （Ｃ）共基放大 （Ｄ）共射极偏置电路 2-64．在单管晶体管放大电路中，电压放大倍数小的电路是（ A ）。
（Ａ）共集电极电路 （Ｂ）共发射极电路 （Ｃ）共基极电路 （Ｄ）分偏置电路
14-55．阻容耦合多级放大器中，（ A ）的说法是错误的。
A、放大直流信号 B、放大缓慢变化的信号 C、便于集成化 D、各级静态工作点互不影响
8-51．阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（ A ）。
（Ａ）第一级输入电阻（Ｂ）各级输入电阻之和（Ｃ）各级输入电阻之积（Ｄ）末级输入电阻
中级维修电工理论知识复习题—电子技术 第 2 页 共 11 页
压式
4-46．阻容耦合多级放大器可放大（ B ）。
（Ａ）直流信号 （Ｂ）交流信号 （Ｃ）交、直流信号 （Ｄ）反馈信号
16-42. 直流耦合放大电路可放大(C)。
A、直流信号 B、交流信号 C、直流信号和缓慢变化的交流信号 D、反馈信号
1-58．直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是：（ A ）变化。
（Ａ）温度 （Ｂ）湿度 （Ｃ）电压 （Ｄ）电流 6-55．直流放大器克服零点漂移的措施是采用（ D ）。
（Ａ）分压式电流负反馈放大电路 （Ｂ）振荡电路 （Ｃ）滤波电路 （Ｄ）差动放大电路 14-58．差动放大电路的作用是（ D ）信号。
A、放大共模 B、放大差模 C．抑制共模 D、抑制共模，又放大差模
2-51．放大电路的静态工作点，是指输入信号（ A ）三极管的工作点。
（Ａ）为零时 （Ｂ）为正时 （Ｃ）为负时 （Ｄ）很小时
13-3. 推挽功率放大电路比单管甲类功率放大电路(C)。
A、输出电压高 B、输出电流大 C、效率高 D、效率低
6-54．推挽功率放大电路在正常工作过程中，晶体管工作在（ D ）状态。 （Ａ）放大 （Ｂ）饱和 （Ｃ）截止 （Ｄ）放大或截止 2-52．对功率放大电路最基本的要求是（ C ）。
（Ａ）输出信号电压大 （Ｂ）输出信号电流大
（Ｃ）输出信号电压和电流均大 （Ｄ）输出信号电压大、电流小
6-53．欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（ D ）。
（Ａ）串联反馈 （Ｂ）并联反馈 （Ｃ）正反馈 （Ｄ）负反馈
3-72．将一个具有反馈的放大器的输出端短路，即三极管输出电压为０，反馈信号消失，则该放大器采用的反馈是（ C ）。 （Ａ）正反馈 （Ｂ）负反馈 （Ｃ）电压反馈 （Ｄ）电流反馈 （√）1-98．共集电极放大电路，输入信号与输出信号相位相同。
（ √ ）2-97．共发射极放大电路既有电压放大作用，也有电流放大作用。 （ × ）7-98．共发射极放大电路，想使静态工作点稳定，应引入正反馈。 （ × ）11-54．射极输出器，输出信号与输入信号相位相反。 （ × ）11-53．单管共发射极放大电路，输入信号和输出信号相位相同。 （ √ ）11-107．多级放大电路，要求信号在传输的过程中，失真要小。 （ × ）11-108．在输入信号一个周期内，甲类功放与乙类功放相比，单管工作时间短。 （ √ ）11-109．差动放大电路既可双端输入，又可单端输入。
( √ ) 13-86. 在直流放大器中，前级产生的零点飘移比后级严重得多。
3-73．正弦波振荡器由（ B ）大部分组成。 （Ａ） ２ （Ｂ） ３ （Ｃ） ４ （Ｄ） ５ 4-47．ＬＣ振荡器中，为容易起振而引入的反馈属于（ B ）。
（A）负反馈 （B）正反馈 （C）电压反馈 （D）电流反馈 16-1. 正弦波振荡器的振荡频率f取决于( D )。
A、正反馈强度 B、放大器放大倍数 C、反馈元件参数 D、选额网络参数 7-71．变压器耦台式振荡器属于（ A ）。
（Ａ）ＬＣ振荡电路 （Ｂ）RC振荡电路（Ｃ）RL振荡电路（Ｄ）石英晶体振荡电路
中级维修电工理论知识复习题—电子技术 第 3 页 共 11 页
16-73. 低频信号发生器的低频振荡信号由(D)振荡器产生。
A、LC B、电感三点式 C、电容三点式 D、RC 16-74. 低频信号发生器输出信号的频率范围一般在( B )。
A、0～20HZ B、20HZ～200KHZ C、50～100HZ D、100～200HZ
3-54．带直流负反馈的串联型稳压电路，是利用（ B ）作电压调整器件与负载串联。
（Ａ）取样电路 （Ｂ）三极管 （Ｃ）基准电路 （Ｄ）比较放大电路
6-77．带直流负反馈的串联型稳压电路，为提高稳压灵敏度，其比较放大电路的放大倍数应（ C ）。 （Ａ）较低 （Ｂ）很低 （Ｃ）较高 （Ｄ）很高
1-26．单相半波整流电路，加电容滤波器后，整流二极管承受的最高反向电压将（ C ）。 （Ａ）不变 （Ｂ）降低 （Ｃ）升高 （Ｄ）单相半波整流电路相同
9-46．一负载电流为10mA的单相半波整流电路，实际流过整流二极管的平均电流是（ B ）mA。 （Ａ） ０ （Ｂ） １０ （Ｃ） ５ （Ｄ） ３
5-57．在单相整流电路中，若输入电压相同，则二极管承受反向电压最高的电路是（ B ）。
（Ａ）单相半波整流电路（B）单相全波整流电路Ｃ）单相桥式整流电路（Ｄ）单相桥式半控整流电路 9-46．一负载电流为10mA的单相半波整流电路，实际流过整流二极管的平均电流是（ B ）mA。 （Ａ） ０ （Ｂ） １０ （Ｃ） ５ （Ｄ） ３ 9-47．小功率负载的滤波电路，要求滤波效果很好，应选择的滤波电路形式是（ D ）。
（Ａ）电容滤波器 （Ｂ）电感滤波器 （Ｃ） ＬＣπ型滤波器 （Ｄ）ＲＣπ型滤波器 （ × ）11-52．串联型稳压电路中的基准电压，其温度稳定性不会影响到输出电压的稳定性。 （ √ ）11-137．整流电路是把正弦交流电变换成脉动直流电的电路。
14-70. KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压是(D)。 A、10V B、1000V C、20V D、2000V
3-74．普通晶闸管管心由（ D ）层杂质半导体组成。 （Ａ） 1 （Ｂ）２（Ｃ） ３（Ｄ）４
7-74．普通晶闸管由中间Ｐ层引出的电极是（ B ）。（Ａ）阳极（B）门极（Ｃ）阴极（Ｄ）无法确定 8-55．在晶闸管寿命期内，若浪涌电流不超过６πIT ，晶闸管能忍受的次数是（ B ）。 （Ａ） ｌ次 （Ｂ） ２０次 （Ｃ） ４０次 （Ｄ） １００次
4-49．晶闸管外部的电极数目为（ C ）个。 （Ａ） 1 （Ｂ）２ （Ｃ） ３ （Ｄ） ４
10-72．晶闸管具有（ B ）性。 （A）单向导电 （B）可控单向导电性 （C）电流放大 （D）负阻效应
12-39. 用万用表测量测量控制极和阴极之间正向阻值时，一般反向电阻比正向电阻大，正向( A )，反向数百欧姆以上。 A、几十欧姆以下 B、几百欧姆以下 C、几千欧姆以下 D、几十千欧姆以下 1-59．晶闸管硬开通是在（ C ）情况下发生的。
（Ａ）阳极反向电压小于反向击穿电压 （Ｂ）阳极正向电压小于正向转折电压 （Ｃ）阳极正向电压大于正向转折电压 （Ｄ）阴极加正压，门极加反压 2-54．欲使导通晶闸管关断，错误的作法是（ B ）。
（Ａ）阳极、阴极间加反向电压 （Ｂ）撤去门极电压
（Ｃ）将阳极、阴极间正压减小至小于维持电压 （Ｄ）减小阴极电流，使其小于维持电流
12-67. 小容量晶体管调速器电路的主回路采用单相桥式半控整流电路，直接由( C )交流电源供电。 A、24V B、36V C、220V D、380V
6-57．室温下，阳极加６Ｖ正压，为保证可靠触发所加的门极电流应（ C ）门极触发电流。 （Ａ）小于 （Ｂ）等于 （Ｃ）大于 （Ｄ）任意 6-58．单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于（ D ）。
（Ａ）发射极电压U C （Ｂ）电容 Ｃ （Ｃ）电阻R b （Ｄ）分压比η
2-55．关于同步电压为锯齿波的晶体管触发电路叙述正确的是（ B ）。
中级维修电工理论知识复习题—电子技术 第 4 页 共 11 页
相关推荐：
loading