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模拟电子技术基础第四版 童诗白 课后答案

来源:用户分享 时间:2025/7/11 22:02:12 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
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解:如解图。

解图

电路如图所示,晶体管导通时UBE?0.7V,β=50。试分析VBB为0V、1V、3V三种情况下T 的工作状态及输出电压uO的值。

解: (1)当VBB?0时,T 截止,uO?12V。

(2)当VBB?1V时,因为

uO?VCC?ICQRc?9V 图 所以T处于放大状态。

(3)当VBB?3V时,因为IBQ?ICQ??IBQ?23mA?ICS?VBB?UBEQRb?460?A,

VCC?UCES?11.3mA, 所以T处于饱和状态。 Rc电路如图所示,晶体管的β=50 ,UBE?0.2V,饱和管压降UCES?0.1V;稳压管的稳定电压UZ?5V, 正向导通电压UD?0.5V。试问:当uI?0V时uO?;当

uI??5V时uO?

解:当uI?0V时,晶体管截止,稳压管击穿,

uO??UZ??5V。

当uI??5V时,晶体管饱和,

uO??0.1V。

因为: 图

IB?uI?UBE?480?A,IC??IB?24mA,UEC?VCC?ICRc?0 Rb分别判断图 所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

(a) (b) (c)

(d) (e)

解:(a)可能;(b)可能;(c)不能;(d)不能,T 的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。

已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极① 、② 、③ 的电位分别为4V 、8V 、12V ,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS 管、增强型、耗尽型),并说明① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系。

解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极① 、② 、③ 与G 、S 、D 的对应关系如解图 所示。 解图

已知场效应管的输出特性曲线如图所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。 图 (a) (b)

解图

解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐标值及uGS值,建立iD?f(uGS)坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图 (b)所示。

电路如图所示,T的输出特性如图所示,分析当uI=4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

解:根据图 所示T的输出特性可知,其开启电压为5V ,根据图所示电路可知uGS?uI。

当uI=4V时,uGS小于开启电压,故T 截止。 当uI=8V时,设T 工作在恒流区,根据输出 特性可知iD?0.6mA,管压降uDS?VDD?iDRd?10V, 因此,uGD?uGS?uDS??2V,小于开启电压,

说明假设成立,即T工作在恒流区。 图

当uI=12V时,由于VDD?12V,必然使T工作在可变电阻区。 分别判断图 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。 (a) (b) (c) (d)

解:(a)可能,(b)不能,(c)不能,(d)可能。

补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ?3V, R 的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。

(a) (b) (c)

补图P1

解:波形如下图所示

oo

补充2.在温度20C时某晶体管的ICBO?2?A,试问温度是60C时的ICBO?

解:ICBO60?ICBO20?24?2?24?32?A。

补充3.有两只晶体管,一只的β=200 , ICEO?200?A;另一只的β=100 ,

ICEO?10?A,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子为什么

解:选用β=100 , ICEO?10?A的管子,因其β适中,ICEO较小,因而温度稳

定性较另一只管子好。

补充4.电路如补图P4所示,试问β大于多少时晶体管饱和 解:取UCES?UBE,若管子饱和, 则??VCC?UBEVCC?UBE?, 即Rb??Rc RbRc所以,??RbR?100时,管子饱和。 c 补图P4

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