极管D7处于正偏状态，所以t2的BE结反偏而截止，因此t2并不参与放电），如果C5足够大，那么可以在相当长的一段时间内保证V1的驱动电压在合理的范围内。这里b1放在q1的射极上组成一个近似恒流的驱动电路，用以保证在C5正极电压升得很高时，通过三极管q1的放电电流不致过大而导致电容很快放完。当U4A的3脚输出低电平时，q1,t1迅速关闭，t2开始导通，将k1和栅极本身积累的电荷迅速泄放，V1被关闭，而此时由于另两组中的一组之下桥维持在导通状态，电容C5就会通过电机绕组和该下桥迅速充电补充电能，为下一个周期做准备。
从上面的过程可以看出，电容C5的充电量应该是越大越好，但电容大了，可能二极管来不及给电容充电，电容小了，又不能保证导通时间，所以这种驱动不能使V1长时间维持在导通状态，这也是为什么PWM信号要耦合到上桥的一个原因。
其次对于这个驱动电路有人还会产生一个疑问：按理说用作功率开关的MOSFET，为了减少开关损耗，应尽量避免MOSFET工作在放大状态，按照这个原则，驱动MOSFET的电平应该是快速上升、快速下降，而且这个速度是越快越好，但此电路中增加了电阻e1、e2，电容k1、k2，这四个元件在这里的作用显然有悖于快升快降的原则，实际上这四个零件在电路中的作用也确实是有意减慢MOSFET的开启速度，使驱动MOSFET的电压波形上升沿没那么陡峭，为什么要这样做呢？
这个要从MOSFET的结构来看，MOSFET本身各极之间存在极间电容，这个电容被称为密勒电容。而我们现在这种上下桥类似推挽结构的电路，上桥导通时，由于下桥漏极的电压急剧升高，这种电压变化会通过下桥的密勒电容传递给下桥的栅极，我们把上桥导通时下桥漏极电压升高的速度以Δv/Δt表示，当Δv/Δt足够大时，传递给下桥栅极的电荷便会积蓄到足以使下桥导通的地步，这样就会导致上下桥直接将电源短路，而解决这个问题最简单的办法，就是让上下桥开通的速度不要那么快，所以加上阻容延时，并且这里的k1,k2还有吸收部分冲击电压的功效,这里就不多做描述了。
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