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26.根据单个数据存储单元工作原理的不同，RAM又分为静态存储器（SRAM）和动态存储器
（DRAM），SRAM单元含有锁存器，因此只要不断电，即使不刷新数据也不会丢失，而DRAM是利用一个很小的电容存储电荷来保持信息，由于存储单元存在漏电现象，因此数据必须周期性地进行读出和重写。
由于ROM的成本比RAM低，因此ROM常用来做打印机，传真机，游戏机和IC卡等永久性
存储。
27.集运算放大器主要的四部分组成：差分输入级，中间增益级，输出级和各电路的偏置电路 1.输出级负责向负载输出一定的功率，模拟集成电路输出级主要要求包括：
1》输出电压或输出电流幅度大，能在可接受的信号失真条件下为负载提供指定的功率且静态功耗。
2》输入阻抗大，输出阻抗小，在前级放大器和负载间进行隔离 。 3》满足放大器频率响应的要求。 2.输入级是运放的重要的组成部分，运放的许多重要性能参数如：输入失调电压，失调电流，输入阻抗，输入电压范围，共模抑制比等都是由输入级决定的。 3.中间增益级则是主要由单管或双管放大电路组成，该级主要用于实现运算放大器对小信号的放大功能。
4.偏置电路用于向运算放大器的输入级，中间级和输出级提供稳定的直流电流和电压，充当电路内部的恒流源，恒压源或有源负载。
28.模拟电路设计的八边形法则主要涉及哪些方面？
答：放大器的重要参数包括：增益 、速度、功耗、电源电压、线性度、噪声和最大电压摆幅。
更进一步，输入输出阻抗决定着电路如何与前后级相配合。 29.A/D，D/A转换器：A/D转换器是将模拟信号变成数字信号。
30.RFIC（radio frequency integrated circuits ）是20世纪90年代中期以来随着IC工艺改进而出
现的一类新的集成电路-----射频集成电路
31.PTAT源：proportional to absolute temperature , CMOS基准源的基本出发点就是利用上述指
数特性产生雨绝对温度成正比的电压源（称为PTAT源）的正温度系数，补偿双极性晶体管BE结压降的负温度系数，从而得到温度系数娇小的基准电压源。 32.版图设计是指在将电路设计转为用于制作物理器件和布线的配置图形信息 集成电路设计主要包括逻辑设计和验证，电路设计，版图设计等内容。
33.全定制/半定制：全定制：集成电路设计一般可采用全定制与半定制两种设计方式，全定制
电路设计是从上到下包括晶体管的尺寸大小，位置都需要亲自完成的设计方式。35.半定制：半定制设计方式主要包括门阵列设计，标准单元设计以及采用可编程逻辑器件（PLD）进行设计等。
34.入规则：入规则是建立在单一参数入之上，入取值最小沟长的一半，其他的尺寸都用入的
整数倍表示。
35.微米法则：基于实际真实尺寸的微米规则，对于所有容差都有合理精确的限定，微米规则
通常会给出制造中所要用到的最小尺寸，间距及交叠等的一览表，其中每个被规定的尺寸之间没有必然的联系，因而设计规则比较复杂 36.标准单元设计优化缺点：
与门阵列设计方法相比，标准单元设计更具有以下优点：
1）标准单元设计法的布图方式更加灵活，使得标准单元设计可具有100%的连线布通率。
2）芯片中没有无用的单元和晶体管，所以面积利用率更高。
3）可以与全定制设计方法相结合，在芯片中加入全定制设计功能块，提高电路的性能。 37.标准单元设计的不足之处：
1）标准单元设计的原始投入大于门阵列设计。 2）标准单元库的成本比门阵列高。
3）标准单元设计单元布置和布线优化通常更加复杂。 38.两个动力：
更高集成度，更高的性价比
更小的寄生电容，提升高频特性。 392.名词解释
JEFT: Junction Field Effect Transistor 结型栅场效应管
MOSFET: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管 COMS:Complementary Metal Oxide Semiconductor 互补金属氧化物半导体 Mesfet metal-semiconductor field effect transistor金属半导体场效应晶体管 FET: field effect transistor 场效应晶体管
IGFET：insulated gate field effect transistor 绝缘栅场效应管
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