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碳化硅电力电子器件的应用及其研究发展
作者:任会会
来源:《科学与财富》2016年第22期
摘 要:文章首先对碳化硅电力电子器的大体情况概述及应用进行了介绍,进而对碳化硅器件在电力电子中的发展进行了分析。
关键词:碳化硅材料;电力电子器件;应用;发展 1、碳化硅电力电子器件概述
大功率半导体器件在近年来得到了快速的发展,促使现代电力系统中高性能电力电子装置得到广泛的应用。其主要有变流、变频的特点,响应性能较为快速,能够利用小功率来控制大功率。碳化硅由于其优良的物理特性和电特性,在电力系统中得到了广泛的应用。碳化硅属于新研发的宽禁带的半导体材料,这种器件的优势在于它的高压高温的特性。碳化硅电力电子器件能够突破硅基半导体器件由于电压和温度的限制会造成电力系统有一定的局限性。当前碳化硅材料研发不断发展,新型碳化硅电力电子器件不断涌现,低压领域和高压领域的碳化硅功率器件不断产业化,在电力系统中不断替代原有器件。碳化硅电力电子器件的研发成功以及未来可能的产业化,将在电力系统高压领域中得到更多的应用,其发展能够对电力系统变革产生较为深远的影响。相信在不久的将来,在电力电子器件的制造中碳化硅的使用将会更加广泛,电力电子器件也将会具有更高的使用性能。 2、电力系统中碳化硅电力电子器件的应用
在电力系统中碳化硅电力电子器件在以下几个方面得到了广泛的应用: 2.1固态变压器。
近年来分布式发电系统和智能电网技术不断发展,碳化硅基于其很好的性能在当前的固态变压器中具有广泛的应用。其利用宽禁带材料能够有效提高器件工作适应温度。6H-SiC、4H-SiC禁带宽度分别为3.0eV、3.25eV,这两种材料对应的本征温度为8000摄氏度以上,也就是意味着即使禁带最窄的3C-SiC,它的禁带宽度也能够在2.3eV左右。利用碳化硅材料制造的电力系统器件,它的工作温度最高能够超过6000℃。电力系统中功率开关器件反向的电压承受力和它的漂移区以及基区长度、电阻率具有密切的关系,单极性功率的开关器件通态比电阻将直接受漂移区长度、电阻率的影响。由以上可知与其制造材料击穿电场强度的立方成反比。在电力系统中技术人员利用击穿电场强度较高的碳化硅材料制作的高压功率开关控制器,它的电阻率不用选择过高,碳化硅电力电子器件漂移区或基区也不需要太长。通过这种工艺不但器件通态与电阻相比会有较明显的降低,其工作频率将有大幅度的提高。固态变压器是电力电子变流器和高压变压器中能量转换的关键装置。固态变压器相较于传统变压器具有体积较小、供电
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