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四、用户指令集
1、指令表1:(RE=0:基本指令集) 指令码 指令 RS RW DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 说明 执行时间(540KHZ) 清除显示 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 将DDRAM填满“20H”,并且设定DDRAM的地址计数器(AC)4.6ms 到“00H” 设定DDRAM的地址计数器(AC)到“00H”,并且将游标移到开4.6ms 头原点位置;这个指令并不改变DDRAM的内容 指定在资料的读取与写入时,设定游标移动方向及指定显示的移位 D=1:整体显示ON C=1:游标ON B=1:游标位置ON 设定游标的移动与显示的移位控制位元;这个指令并不改变DDRAM的内容 DL=1 (必须设为1) RE=1: 扩充指令集动作 72us 地址归位 0 0 0 0 0 0 0 0 1 X 进入点 0 设定 显示状态 开/关 0 0 0 0 0 0 1 I/D S 0 0 0 0 0 0 1 D C B 72us 游标或显示移0 位控制 功能设定 0 0 0 0 0 1 S/C R/L X 0 RE X 72us 0 0 0 1 DL X X X 72us 。 6欢迎下载
精品文档 RE=0: 基本指令集动作 设定CGRAM地址 设定DDRAM 地址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 设定CGRAM地址到地址计数器(AC) 设定DDRAM地址到地址计数器(AC) 72us 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 72us 读取忙碌标志0 (BF)和地址 写资料1 到RAM 读出RAM的值 1 1 BF 读取忙碌标志(BF)可以确认AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 内部动作是否完成,同时可以0us 读出地址计数器(AC)的值 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 写入资料到内部的RAM72us (DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM) 从内部RAM读取资料72us (DDRAM/CGRAM/IRAM/GDRAM) 0 D7 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
指令表—2:(RE=1:扩充指令集) 指令 待命模式 卷动地址或IRAM地址选择 反白选择 睡眠模式 指令码 RS 0 RW 0 DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 0 0 0 0 0 0 0 1 说明 执行时间(540KHZ) 将DDRAM填满“20H”,并且设定DDRAM的地72us 址计数器(AC)到“00H” SR=1:允许输入垂直卷动地址 SR=0:允许输入IRAM地址 选择4行中的任一行作反白显示,并可决定反白与否 SL=1:脱离睡眠模式 SL=0:进入睡眠模式 RE=1: 扩充指令集动作 RE=0: 基本指令集动作 G=1 :绘图显示ON G=0 :绘图显示OFF 0 0 0 0 0 0 0 0 1 SR 72us 0 0 0 0 0 0 0 1 R1 R0 72us 0 0 0 0 0 0 1 SL X X 72us 扩充功能设定 0 0 0 0 1 1 X 1 RE G 0 72us 设定IRAM地址或卷动地址 设定绘0 0 0 1 AC5 AC4 ACAC3 ACAC2 ACAC1 ACAC0 SR=1:AC5—AC0为垂直卷动地址 72us SR=0:AC3—AC0为ICON IRAM地址 设定CGRAM地址到地72us 0 0 1 AC6 ACAC0 。 7欢迎下载
精品文档 图RAM地址 5 4 3 2 1 址计数器(AC) 备注:
1、当模块在接受指令前,微处理顺必须先确认模块内部处于非忙碌状态,即读取BF标志时BF需为0,方可接受新的指令;如果在送出一个指令前并不检查BF标志,那么在前一个指令和这个指令中间必须延迟一段较长的时间,即是等待前一个指令确实执行完成,指令执行的时间请参考指令表中的个别指令说明。 2、“RE”为基本指令集与扩充指令集的选择控制位元,当变更“RE”位元后,往后的指令集将维持在最后的状态,除非再次变更“RE”位元,否则使用相同指令集时,不需每次重设“RE”位元。
具体指令介绍:
1、清除显示
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L L L H
功能:清除显示屏幕,把DDRAM位址计数器调整为“00H”
2、位址归位
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L L L L L L L H X
功能:把DDRAM位址计数器调整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM 3、位址归位
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L L H I/D S
功能:把DDRAM位址计数器调整为“00H”,游标回原点,该功能不影响显示DDRAM功能:执行该命令后,所设置的行将显示在屏幕的第一行。显示起始行是由Z地址计数器控制的,该命令自动将A0-A5位地址送入Z地址计数器,起始地址可以是0-63范围内任意一行。Z地址计数器具有循环计数功能,用于显示行扫描同步,当扫描完一行后自动加一。
4、显示状态 开/关
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L L L L L H D C B
功能: D=1;整体显示ON C=1;游标ON B=1;游标位置ON
5、游标或显示移位控制
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L H S/C R/L X X
功能:设定游标的移动与显示的移位控制位:这个指令并不改变DDRAM的内容
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6、功能设定
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H DL X 0 RE X X
功能:DL=1(必须设为1) RE=1;扩充指令集动作 RE=0:基本指令集动作
7、设定CGRAM位址
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0
功能:设定CGRAM位址到位址计数器(AC)
8、设定DDRAM位址
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0
功能:设定DDRAM位址到位址计数器(AC)
9、读取忙碌状态(BF)和位址
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L H BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0
功能:读取忙碌状态(BF)可以确认内部动作是否完成,同时可以读出位址计数器(AC)的值
10、写资料到RAM
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
H L D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
功能:写入资料到内部的RAM(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)
11、读出RAM的值
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
H H D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
功能:从内部RAM读取资料(DDRAM/CGRAM/TRAM/GDRAM)
12、 待命模式(12H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L L L L L L L L H
功能:进入待命模式,执行其他命令都可终止待命模式
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13、卷动位址或IRAM位址选择(13H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L L L L L L L H SR
功能:SR=1;允许输入卷动位址 SR=0;允许输入IRAM位址
14、反白选择(14H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L L L L L L H R1 R0
功能:选择4行中的任一行作反白显示,并可决定反白的与否
15、睡眠模式(015H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L L L H SL X X
功能:SL=1;脱离睡眠模式 SL=0;进入睡眠模式
16、扩充功能设定(016H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L L H H X 1 RE G L
功能:RE=1;扩充指令集动作 RE=0;基本指令集动作 G=1;绘图显示ON G=0;绘图显示OFF
17、设定IRAM位址或卷动位址(017H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0 L L L H AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 功能:SR=1;AC5~AC0为垂直卷动位址 SR=0;AC3~AC0写ICONRAM位址
18、设定绘图RAM位址(018H)
CODE: RW RS DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
L L H AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0
功能:设定GDRAM位址到位址计数器(AC)
五、显示坐标关系 1、图形显示坐标
水平方向X—以字节单位 垂直方向Y—以位为单位
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