中科院半导体所2012年半导体物理考研真题

中科院半导体所2012考研真题

一、（60分）

1 半导体物理中引入了哪些有效质量的概念，并说明它们的物理意义。

2 试用能带理论描述半导体与金属导电的区别。

3 描述半导体系统处于稳态和热平衡状态的区别，如何判别。

4 说明pn结理论中耗尽近似的使用条件，并说明其局限性。

5 描述半导体中载流子迁移率的主要影响机制。

6 描述半导体材料的霍尔效应有何用途？

二、（15分）分别用硼、磷、金原子杂质对硅半导体进行掺杂，描述它们所起的作用，以及他们主要的区别。

三、（15分）分析PN结的击穿机制。

四、（20分）对于中等掺杂水平的P型半导体，画出下列四种情况下的能带简图，标出费米能级或准费米能级的位置。

1 常温下无光照。 2 常温下有光照，小注入。 3 常温下有光照，大注入。 4 高温下。

五、（20分）

1 分析理想情况下，金属与N型半导体接触形成势垒和势阱的条件。 2 为何会出现费米能级钉扎效应，试做定义分析。

六、（20分）以N型半导体为衬底形成的理想MOS结构，在不同的外加栅电压VG下。

1 出现的表面状态类型、对应的表面势ΨS及栅电压VG方向。 2 分别求出弱反型和强反型的条件。

3 定性分析不同表面状态时MOS电容和表面势的关系 最后

祝大家取得理想成绩~~~ 2012.12.9