微电子概论复习资料 - 图文

7、金属膜的形成方法包括（蒸发）和（溅射）。

8、集成电路的掺杂工艺包括（扩散）和（离子注入）。其中后一种是将具 有很高能量的带电杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术。 9、最常用的光刻工艺是（投影式曝光）技术。

10、在隔离技术中，常用的有（PN 结隔离）、等平面氧化层隔离和沟槽隔 离等等。

11、硅-绝缘体SOI 器件可用标准的MOS 工艺制备，该类器件显著的优点是 （寄生参数小，响应速度快）等。

3.分别画出NPN和PNP晶体管的结构示意图及符号。

6.画出导体、半导体、绝缘体的能带示意图，并据此对三者导电性能进行分析。 以下图片上的题非常重要（老师平时上课时会给）