(单选题)1: 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。 A: 饱和失真 B: 截止失真 C: 交越失真 D: 线性失真 正确答案:
(单选题)2: 实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在()。 A: 死区电压 B: 击穿电压 C: 门槛电压 D: 正向电流 正确答案:
(单选题)3: 发光二极管发光时,其工作在( )。 A: 正向导通区 B: 反向截止区 C: 反向击穿区 D: 反向饱和区 正确答案:
(单选题)4: 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。 A: 各极间电阻 B: 各极对地电位 C: 各极电流 D: 各极间的电压 正确答案:
(单选题)5: 小信号模型分析法不适合用来求解()。 A: 静态工作点 B: 电压增益 C: 输入电阻 D: 输出电阻 正确答案:
(单选题)6: 半导体二极管的重要特性之一是()。 A: 温度稳定性 B: 单向导电性 C: 放大作用 D: 滤波特性 正确答案:
(单选题)7: 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。
A: 基本不变 B: 明显减小 C: 明显增加 D: 不确定变化 正确答案:
(单选题)8: 二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将()。 A: 右移 B: 左移 C: 上移 D: 下移 正确答案:
(单选题)9: 三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。 A: 10 B: 30 C: 100 D: 1000 正确答案:
(单选题)10: BJT处于截止状态的条件是()。 A: 发射结正偏，集电结反偏 B: 发射结正偏，集电结正偏 C: 发射结反偏，集电结正偏 D: 发射结反偏，集电结反偏 正确答案:
(判断题)11: 稳压管的稳压区是工作在正向饱和。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)12: N型半导体带正电。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)13: 当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)14: 二极管的反向电流值愈小,管子的单向导电性愈差。 A: 对
B: 错
正确答案:
(判断题)15: 杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)16: 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)17: 温度升高,晶体管输入特性曲线右移。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)18: 如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)19: 静态工作点选择过高,BJT容易产生截止失真。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)20: PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 A: 对 B: 错
正确答案:
(单选题)1: 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中,如静态工作点过高,容易产生()。 A: 饱和失真 B: 截止失真 C: 交越失真 D: 线性失真 正确答案:
(单选题)2: 实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在()。 A: 死区电压 B: 击穿电压 C: 门槛电压 D: 正向电流
正确答案:
(单选题)3: 发光二极管发光时,其工作在( )。 A: 正向导通区 B: 反向截止区 C: 反向击穿区 D: 反向饱和区 正确答案:
(单选题)4: 用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型(指NPN型还是PNP型),以测出()最为方便。 A: 各极间电阻 B: 各极对地电位 C: 各极电流 D: 各极间的电压 正确答案:
(单选题)5: 小信号模型分析法不适合用来求解()。 A: 静态工作点 B: 电压增益 C: 输入电阻 D: 输出电阻 正确答案:
(单选题)6: 半导体二极管的重要特性之一是()。 A: 温度稳定性 B: 单向导电性 C: 放大作用 D: 滤波特性 正确答案:
(单选题)7: 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A: 基本不变 B: 明显减小 C: 明显增加 D: 不确定变化 正确答案:
(单选题)8: 二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将()。 A: 右移 B: 左移 C: 上移 D: 下移 正确答案:
(单选题)9: 三级放大电路中,各级的放大倍数均为10,则电路将输入信号放大了()倍。 A: 10 B: 30 C: 100 D: 1000 正确答案:
(单选题)10: BJT处于截止状态的条件是()。 A: 发射结正偏，集电结反偏 B: 发射结正偏，集电结正偏 C: 发射结反偏，集电结正偏 D: 发射结反偏，集电结反偏 正确答案:
(判断题)11: 稳压管的稳压区是工作在正向饱和。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)12: N型半导体带正电。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)13: 当环境温度升高时,二极管的死区电压将升高。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)14: 二极管的反向电流值愈小,管子的单向导电性愈差。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)15: 杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)16: 半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)17: 温度升高,晶体管输入特性曲线右移。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)18: 如果输入信号的幅度过大,即使静态工作点的大小设置合理,也会产生失真。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)19: 静态工作点选择过高,BJT容易产生截止失真。 A: 对 B: 错
正确答案:
(判断题)20: PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 A: 对 B: 错
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