SH367004CV1.0

SH367004

参数

最小值 典型值 最大值 单位 3.3 - -1.0 0.5 3.2 - 50 0.4 1.8 - 50 3 1.8 - 0.4 3.1 -

- - 0 1 - - 100 0.45 - - 100 5 - - 1 - -

4.5 ±25 1.0 1.5 4.5 ±50 ±25 150 0.5 3.0 ±50 150 7 3.4 ±100 ±50 1.6 4.4 ±25

V mV s V mV ms V V mV ms s V mV ms V mV

档位：50mV

CHD管脚外接0.1μF电容

VCRV ≠ VCV VCRV = VCV

V1=V2=V3=V4=3.1V, V5=VCV-0.01V, MS=1 档位：100mV

DSD管脚外接0.1μF电容

VDRV ≠ VDV VDRV = VDV

档位：50mV

V1=V2=V3=V4=VDV + 0.1V, V5=VOB V1=V2=V3=V5=VDV + 0.1V, V4=VOB V1=V2=V4=V5=VDV + 0.1V, V3=VOB V1=V3=V4=V5=VDV + 0.1V, V2=VOB V2=V3=V4=V5=VDV + 0.1V, V1=VOB

档位：50mV

CDC管脚外接0.1μF电容 档位：100mV

放电MOSFET栅极电容为4700pF 档位：50mV

CDC管脚外接0.1μF电容 档位：100mV

充电MOSFET栅极电容为4700pF CDC管脚外接0.1μF电容23 档位：10°C 档位：10°C

测试条件

直流电气特性 (无特别说明，电气特性在25°C下测得) 符号 VCV TCO tCD

过充电保护阈值电压 过充电保护阈值电压温度系数 过充电保护延时

VOCA 过充电保护阈值电压精度

mV/°C 温度范围：-40°C - 85°C

VCRV 过充电保护解除电压 VOCRA 过充电保护解除电压精度 tOVR VDV tDD tPD

过充电恢复延时时间 过放电保护阈值电压 过放电保护延时

过放电保护进低功耗模式延时

VCHSE-M 过充电迟滞解除电平 (CHSE) VODA 过放电保护阈值电压精度

VDRV 过放电保护解除电压 VODRA 过放电保护解除电压精度 tLVR VOB

过放电恢复延时时间 平衡开启电压

VOBA 平衡开启电压精度

RBL 平衡内阻 75 150 400 ?

tBL tBLR

平衡开启延时 平衡释放延时

- - 0.05 - 10 0.2 - 150 -0.3 - 10 -0.5 - 150 100 50 -20

10 10 - - 20 - - 200 - - 20 - - 200 200 - -

- - 0.3 ±15 30 1 ±100 250 -0.05 ±15 30 -0.1 ±40 250 300 70 0

ms ms V mV ms V mV μs V mV ms V mV μs ms °C °C

VDC1 放电过流1保护阈值电压 VIDA1 放电过流1保护阈值电压精度 tID1

充放电过流1保护延时

VDC2 放电过流2保护阈值电压 VIDA2 放电过流2保护阈值电压精度 tID2

放电过流2保护延时

VCC1 充电过流1保护阈值电压 VICA 充电过流1保护阈值电压精度 tIC1

充放电过流1保护延时

VCC2 充电过流2保护阈值电压 VICA2 充电过流2保护阈值电压精度 tIC2 TH TL

充电过流2保护延时 高温保护阈值温度 低温保护阈值温度

tD1/tD2 充放电过流1/2恢复延时时间

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SH367004

参数

最小值 典型值 最大值 单位 - - - 3 - - - -1.5 -1.5 -1.5 -1.5 0.4 -20 - 0.6 0.8*VDD - VDD-0.6 - 1.2 - VDD-1.7 - 9 VDD-2 450 250

±2 ±2 2 - 25 4 1.5 - - - - 1.0 - 1 1 - - - - - - - - 10 - 900 500

±5 ±5 3 26 30 8 3 1.5 1.5 1.5 1.5 1.8 -3 1.5 1.3 - VDD/5 - VDD-1.5 - 0.4 - VDD-3 11 - 1800 750

°C °C s V μA μA μA μA μA μA μA μA μA V V V V V V V V V V V V K? K?

测试条件

温度电阻为103AT，实际应用保护动作 温度电阻为103AT，实际应用保护动作

CHG和DSG管脚能够保持正确的输出状态； V1=V2=V3=V4=V5=3.8V，VDD=19V，在芯片接地处测量

V1=V2=V3=V4=V5=1.5V，VDD=7.5V，在芯片接地处测量

V1=V2=V3=V4=V5=3.1V V1=V2=V3=V4=V5=3.1V V1=V2=V3=V4=V5=3.1V V1=V2=V3=V4=V5=3.1V V1=V2=V3=V4=V5=3.1V

V1=V2=V3=V4=V5=3.1V, VCTL=VDD 温度范围：-40°C - 85°C

V1=V2=V3=V4=V5=3.1V, VCTL=VDD - GND 温度范围：-40°C - 85°C, 扫描中所得最大电流 SH367004具备0V充电功能 SH367004不具备0V充电功能 适用于SEL0/SEL1/MS管脚 适用于SEL0/SEL1/MS管脚 V1=V2=V3=V4=V5=3.1V V1=V2=V3=V4=V5=3.1V V1=V2=V3=V4=V5=3.1V, MS=0 V1=V2=V3=V4=V5=3.1V, MS=0 V1=V2=V3=V4= 3.1V, V5=VCV, MS=0 V1=V2=V3=V4= 3.1V, V5= VCV, MS=0 VDD>=11V, DSG连接10M负载 VDD<11V, DSG连接10M负载 SH367004作为主控芯片使用 SH367004作为主控芯片使用

(续前表) 符号 TOA

高/低温保护阈值温度精度

TORA 高/低温保护解除温度精度 tTEMP 温度保护延时 VDD ICC IPD IVC1 IVC2 IVC3 IVC4 IVC5 ICTLH ICTLL

工作电压

工作电流 (正常状态) 工作电流 (低功耗状态) VC1管脚消耗电流 VC2管脚消耗电流 VC3管脚消耗电流 VC4管脚消耗电流 VC5管脚消耗电流 CTLC/CTLD管脚 高电平消耗电流 CTLC/CTLD管脚 低电平消耗电流

V0CHA 最低充电器电压 V0INH 最低电芯电压 VIH VIL

逻辑高电平电压 逻辑低电平电压

VCTLH CTLC/CTLD管脚高电平电压 VCTLL CTLC/CTLD管脚低电平电压 VBALIH-S BALI管脚输入高电平 VBALIL-S BALI管脚输入低电平 VCHSEH-S CHSE管脚输入高电平 VCHSEL-S CHSE管脚输入低电平 VDSG-1 DSG管脚高电平输出 VDSG-2 DSG管脚高电平输出 RVMD VM管脚内部上拉电阻 RVMS VM管脚内部下拉电阻

注释23：

SH367004系列芯片中，充放电过流1释放延时tD1可由相应的充放电过流1检测延时tID1计算，具体关系可选择下述两种之一：

(1) tD1 = tID1 X 10+1Ms (预设值) (2) tD1 = tID1 X 0.05+1ms (可选项)

其中，计算公式中1mS为芯片内部固有延时，充放电过流2释放延时与充放电过流1检测延时关系与上述关系一致。

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SH367004

单位: inches/mm

封装信息

TSSOP24外观尺寸

尺寸/inches 最小值 --- 0.002 0.031 0.007 0.004 0.303 0.246 0.169 0.018 0° --- 典型值 --- --- --- --- --- --- --- --- 0.026BSC --- --- 0.039REF 最大值 0.048 0.006 0.041 0.012 0.008 0.311 0.258 0.177 --- 0.030 8° --- 最小值 --- 0.05 0.80 0.19 0.09 7.70 6.25 4.30 --- 0.45 0° --- 尺寸/mm 典型值 --- --- --- --- --- --- --- --- 0.65BSC --- --- 1.0REF 最大值 1.20 0.15 1.05 0.30 0.20 7.90 6.55 4.50 --- 0.75 8° --- 符号 A A1 A2 b C D E E1 e L θ L1 23

SH367004

卷带信息

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