2.17 设图P2.17所示电路所加输入电压为正弦波。试问：
图P2.17
?=U?=U?≈? A?≈? ?/U?/U（1）Aiiu1o1u2o2（2） 画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2 的波形； 解：（1）因为通常β＞＞1，所以电压放大倍数分别应为
? RcR?－c??1 rbe?(1??)ReRe
(1??)Re??A??1 u2rbe?(1??)Re???Au1（3） 两个电压放大倍数说明 uo1≈－ui，uo2≈ui。波形如理下图所示。
2.18 电路如图P2.18所示，晶体管的?＝80，rbe=1kΩ。 （1）求出Q点；
?和Ri； （2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的Au （3）求出Ro。
图P2.18
解：（1）求解Q点：
IBQ?VCC?UBEQRb?(1??)Re?32.3μA
IEQ?(1??)IBQ?2.61mAUCEQ?VCC?IEQRe?7.17V （2）求解输入电阻和电压放大倍数：
RL＝∞时
Ri?Rb∥[rbe?(1??)Re]?110k?
??Au(1??)Re?0.996rbe?(1??)Re
RL＝3kΩ时
Ri?Rb∥[rbe?(1??)(Re∥RL)]?76k?
?? Au(1??)(Re∥RL)?0.992rbe?(1??)(Re∥RL)
（3）求解输出电阻： Ro?Re∥Rs∥Rb?rbe?37?
1??2.19 电路如图P2.19所示，晶体管的?＝60，rbb'=100Ω。
?、Ri和Ro； （1）求解Q点、Au （2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？若C3开路，则Ui＝？Uo＝？
图P2.19
解：（1）Q点：
IBQ?VCC?UBEQRb?(1??)Re?31μ A
ICQ?? IBQ?1.86mA UCEQ?VCC?IEQ(Rc?Re)?4.56V?、Ri和Ro的分析： Au rbe?rbb'?(1??)
26mV?952?IEQ
Ri?Rb∥rbe?952???? Au?(Rc∥RL)rbe??95 Ro?Rc?3k? （2）设Us＝10mV（有效值），则
Ri?Us?3.2mVRs?Ri ?U?304mV Uo?Aui Ui? 若C3开路，则
Ri?Rb∥[rbe?(1??)Re]?51.3k????Rc∥RL??1.5AuReRiUi??Us?9.6mVRs?Ri?U?14.4mVUo?Aui
1.12 在温度20℃时某晶体管的ICBO＝2μA，试问温度是60℃时ICBO≈？
5 解：60℃时ICBO≈ICBO＝32μA。 （T＝20?C） 1.13 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？
解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。
1.14已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。
图P1.14
解：答案如解图P1.14所示。
解图P1.14
1.15测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.15
解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。
解表P1.15 管号 上 中 下 管型 材料
T1 e b c PNP Si T2 c b e NPN Si T3 e b c NPN Si T4 b e c PNP Ge T5 c e b PNP Ge T6 b e c NPN Ge
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