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3.3 DRAM存储器
3.3.1 DRAM存储元的记忆原理 1. 存储元
MOS晶体管+电容 ? 晶体管：作为开关使用
? 电容：充满电荷，代表存储1，没有电荷，代表存储0 2. DRAM存储元的写、读、刷新操作
说明：读出过程也是刷新过程，即读出后立刻对其刷新。
3.3.2 DRAM芯片的逻辑结构
以1M*4位的DRAM芯片为例
说明：与SRAM的不同点
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