页眉 显著增大。电子电导与环境温度和氧分压有很大关系，在室温和低温下，电子电导常常起着主要作用。
表面电导不仅与材料本身的性质有关，而且在很大程度上取决于材料表面的湿润、氧化和玷污状态，温度对表面电导有很大影响，在潮湿环境中，表面电导….. 6. 什么是固体电介质的击穿？分为哪几类？请分别解释。
答： 固体电介质的击穿就是在电场的作用下伴随着热、化学、力等等的作用而丧失其绝缘性能的现象。
固体电介质击穿主要包括电击穿、热击穿、局部放电击穿和树枝化击穿。
电击穿是当固体电介质承受的电压超过一定的数值时，就使相当大的电流通过其中，使电介质丧失绝缘性。
当固体电介质在电场作用下，由电导和介质损耗产生的热量超过试样通过传导、对流和辐射所能散发的热量时，试样中的热平衡就被破坏，最终造成介质永久性的热破坏，这就是热击穿。
局部放电就是在电场作用下，在电介质局部区域中所发生的放电现象，这种放电现象没有电极之间形成贯穿的通道，整个试样并没有被击穿。
树枝化击穿是指在电场作用下，在固体电介质中形成的一种树枝状气化痕迹，树枝是介质中直径以数微米的充满气体的微细管子组成的通道。 7. 固体电介质的击穿受什么因素制约？
答：固体电介质的击穿电场强度主要取决于材料的均匀性；大部分材料在交变电场下的击穿强度低于直流下的击穿电场强度，在高频下由于局部放电的加剧，使得击穿电场强度下降的更厉害，并且材料的介电常数越大，击穿电场强度下降的越多；无机电介质在高频下的击穿往往具有热的特征，发生纯粹电击穿的情况并不多见；在室温附近，高分子电介质的击穿电场强度往往比陶瓷等无机材料要大；在软化温度附近，热塑性高聚物的击穿电场强度急剧下降。
8. 对于介质损耗较高的固体介质材料，在高频下的主要击穿形式是热击穿。
9. 铁电体：在某温度范围具有自发极化，而且极化强度可以随外电场反向而反向的一类晶
体。
10. 描述电滞回线最重要的参数是自发极化强度和矫顽电场强度。 11. 铁电体可以分为有序无序型铁电体和位移型铁电体。 12. 铁电体是热释电体的一亚族。
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页眉 13. 由于机械作用而使介质发生极化的现象称为正压电效应。 14. 铁电体中的电畴结构受什么因素制约？
答： 实际晶体中的畴结构取决于一系列复杂的因素，例如晶体的对称性、晶体中的杂质和缺陷、晶体的电导率、晶体的弹性和自发极化的数值等，此外畴结构还要受到晶体制备过程中的热处理、机械加工以及样品的几何形状等因素的影响。
15. 如果晶体本身的正、负电荷中心不相重合，即晶胞具有极性，那么，由于晶体构造的周
期性和重复性，晶胞的固有电距便会沿着同一方向排列整齐，即晶体处在高度的极化状态下，由于这种极化是外场为零时自发地建立起来，因此称为自发极化。 16. 描述电滞回线最重要的参数是自发极化强度和矫顽电场强度
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页眉 第四章 材料的光学性能
1. 发光辐射的波长由材料的杂质决定，也就是决定于材料的能带结构。（a）
试确定ZnS中使电子激发的光子波长（Eg=3.6eV）；（b）ZnS中杂质形成的陷阱能级为导带下的1.38eV，试计算发光波长及发光类型。
2. 假设X射线源用铝材屏蔽，如果要使95%的X射线能量不能穿透它，
试决定铝材的最小厚度。设线性吸收系数为0.42cm-1。
解： 由I?I0e??x?x?ln(I/I0)ln(0.05) ????0.42 =7.13（cm）
3. 本征硅在室温下可作为红外光导探测器材料，试确定探测器的最大波
长。
4. 光信号在芯部折射率为1.50的光线中传播10km，其绝对延时是多少？
5.
0.85?m波长在光纤中传播，该光纤材料色散为0.1ns/km?nm那么，0.825?m和0.875?m光源的延时差是多少0.1ns/km？
6. 一阶跃光线芯部折射率为1.50，包覆层的折射率为1.40，试求光从空气
中进入芯部形成波导的入射角。
7. 试说明本章中出现光源的种类。
8. 试说明n=?r的物理意义。
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9. 为什么目前光通讯中选择其信号光源的波长多为1.3μm？
10. 试举例说明非线性光学材料变频的应用。
11. 半导体激光器及其发展中的量子阱激光器的特点是什么？
12. 热释电红外探测器较之光子型探测器有什么异同？
13.
已知热释电陶瓷其tan?为0.005（可忽略对导电性的影响），在100Hz条件下?r=250。试求不引起20%tan?变化的电阻率最小值。 14. 有人预言飞机的机载设备将要光子化，请根据你的资料调查，报告一下
目前的进展情况。
15. 举例说明电光效应的应用。
16. 试总结提高无机材料透明性的措施。
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