复习三 三极管放大电路
一、选择题
1.晶体管能够放大的外部条件是（ ）。
a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其（ ）。
a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为（ ）。
a 0.1V b 0.5V c 0.7V 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为（ ）。
a 0.1V b 0.3V c 0.5V
5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6Ma。则该管的β为（ ）。
a 40 b 50 c 60
6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能（ ）。
a 越好 b 越差 c 无变化 7.与 锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（ ）
a 高 b 低 c 一样 8.温度升高，晶体管的电流放大系数（ ）。
a 增大 b 减小 c 不变 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|（ ）
a 升高 b 降低 c 不变
10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放大状态时，（ ）极的电位最低。
a 发射极 b 基极 c 集电极
11.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是（ ）
a 两者无关 b 有关 c 无法判断
12. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时，下列说法正确的是（ ）
a 晶体管一定被烧毁 b 晶体管的PC=PCM c 晶体管的β一定减小 13.对于电压放大器来说，（ ）越小，电路的带负载能力越强（ ）。
a 输入电阻 b 输出电阻 c 电压放大倍数
14.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ，则该管为 （ ）。
a NPN 型锗管 b PNP 型锗管 c PNP 型硅管
15.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ，则该管（ ）
a 处于饱和状态 b 放大状态 c 截止状态 d 已损坏
16.在单级共射放大电路中 ， 若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位（ ）
a 同相 b 反相 c 相差90 度
17.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是_________ 失真（ ）。 a 饱和 b 截止 c 饱和和截止
18.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是（ ）
a 输入电阻太小 b 静态工作点偏低 c 静态工作点偏高 19. 既能放大电压，也能放大电流的是 _________ 放大电路（ ）。
a 共射极 b 共集电极 c 共基极 20.引起放大电路静态工作不稳定的主要因素是（ ）。
a 晶体管的电流放大系数太大 b 电源电压太高 c 晶体管参数随环境温度的变化而变化
21. 在放大电路中，直流负反馈可以（ ）
a 提高晶体管电流放大倍数的稳定性 b 提高放大电路的放大倍数 c 稳定电路的静态工作点
22. 可以放大电压，但不能放大电流的是 _________ 放大电路（ ）。
a 共射极 b 共集电极 c 共基极 23. 射极输出器无放大 _________ 的能力（ ）。
a 电压 b 电流 c 功率
24.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kΩ的负载后输出电压降为3V，则此电路的输出电阻为（ ）
a 0.5kW b 1kW c 2kW
25. 在多级放大电路中，即能放大直流信号，又能放大交流信号的是 _______ 多级放大电路（ ）。
a 阻容耦合 b 变压器耦合 c 直接耦合
26. 若三级放大电路的Au1 =Au2=30dB，Au3=20dB，电路将输入信号放大了_____倍（ ）。
a 80 b 800 c 10000
27. 有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，Ri=2kΩ，Ro=3kΩ。现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为 （ ）
a 40dB b 32dB c 16dB
28.由于放大电路对非正弦输入信号中不同频率分量有不同的放大能力和相移，因此会引起放大电路的输出信号产生失真。这种失真称为 ______ 失真（ ）。
a 饱和 b 截止 c 频率 29.放大电路的两种失真分别为 ______ 失真（ ）。
a 线性和非线性 b 饱和和截止 c 幅度和相位
30. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC
从1mA变为2mA，那么它的β约为（ ）。
a. 83 b. 91 c. 100
31.对于多级放大电路，其通频带与组成他的任何一级单级放大电路相比 （ ）
a 变宽 b 变窄 c 两者一样
32.在图示电路中，已知UCC＝12V，晶体管的?＝100，若测得IB＝20μA，UCE＝6V，则Rc＝ kΩ。
A.3 B.4 C.6 D.300
33．在固定偏置放大电路中，若偏置电阻RB的阻值增大了，则静态工作点Q将 。
A、下移；B、上移； C、不动；D、上下来回移动
34．在固定偏置放大电路中，若偏置电阻RB的值减小了，则静态工作点Q将 。
A、上移；B、下移； C、不动；D、上下来回移动
35.在固定偏置放大电路中，如果负载电阻增大，则电压放大倍数______。
Ａ. 减小 Ｂ. 增大 Ｃ. 无法确定
36．由NPN管构成的的基本共射放大电路，输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现顶部（正半周）削波失真，则该放大电路产生了 失真。
A. 截止 B.饱和 C. 放大
37．由NPN管构成的的基本共射放大电路，输入是正弦信号，若从示波器显示的输出信号波形发现底部削波失真，这是由于静态工作点电流IC 造成。
A.过大 B.过小 C.不能确定
38．三极管参数为PCM=800 mW，ICM=100 mA，UBR(CEO)=30 V，在下列几种情况中， 属于正常工作 。
A、UCE =15 V，IC =150 mA B、UCE =20 V，IC =80 mA C、UCE =35 V，IC =100 mA D、UCE =10 V，IC =50 mA
39．在一块正常的放大板上，测得三极管1、2、3脚电位分别为-10V、-10.3V、-14V，下列符合该三极管的叙述是（ ）。
A： 管型是PNP C： 1脚是发射极
B： 材料是硅 D： 2脚是基极
40．满足IC=βIB的关系时，三极管工作在（ ）。
A： 饱和 B： 放大 C： 截止 D： 击穿
41．晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（ ）。
A： 随基极电流的增加而增加 B： 随基极电流的增加而减小 C： 与基极电流变化无关，只取决于Ucc和Rc
42．三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于（ ）
A： ICM B： ICBO C：ICEO D： 0
43．三极管的伏安特性是指它的（ ）。
A： 输入特性
B： 输出特性
C： 输入特性和输出特性 D： 正向特性
44、当温度升高时，半导体三极管的β、穿透电流、UBE的变化为
A、大，大，基本不变 B、小，小，基本不变 C、大，小，大 D、小，大，大 45、三极管的ICEO大，说明该三极管的 。
A、工作电流大 B、击穿电压高 C、寿命长 D、热稳定性差 46、用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为 V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则 。
A、1为e 2为b 3为c B、1为e 3为b 2为c C、2为e 1为b 3为c D、3为e 1为b 2为c
47、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的 。 A、iC B、uCE C、iB D、iE
48、某晶体管的发射极电流等于1 mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于 A、0.98 mA B、1.02 mA C、0.8 mA D、1.2 Ma 49、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是 。
A、共射接法 B、共基接法 C、共集接法 D、任何接法 50、如图为某放大电路的输入波形与输出波形的对应关系，则 该电路发生的失真和解决办法是
A、截止失真，静态工作点下移 B、饱和失真，静态工作点下移 C、截止失真，静态工作点上移 D、饱和失真，静态工作点上移
复习四 负反馈放大电路与基本运算电路
一、单选题
1. 需要一个阻抗变换电路，要求输入电阻大，输出电阻小，应选用（ ）负反馈。 A. 电压串联 B. 电压并联 C. 电流串联 D. 电流并联 2. 为了增大放大电路的输入电阻，应引入（ ）负反馈。 A. 直流 B. 交流电流 C. 交流串联 D. 交流并联 3. 理想集成运放具有以下特点：（ ）。
A． 开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞ B．开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=0 C．开环差模增益Aud=0，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞
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