1V高线性度2.4GHz CMOS低噪声放大器
徐跃;杨英强
【期刊名称】《电路与系统学报》 【年(卷),期】2009(014)004
【摘要】讨论了低噪声放大器(LNA)在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术.使用Chartered 0.25μm RF CMOS 工艺设计一个低电压折叠式共源共栅LNA.后仿真结果表明在1V电源下,2.36GHz处的噪声系数NF仅有1.32dB,正向增益S21为14.27dB,反射参数S11、S12、S22分别为 -20.65dB、-30.27dB、-24dB,1dB压缩点为-13.0dBm,三阶交调点IIP3为-0.06dBm,消耗的电流为8.19mA.
【总页数】5页(97-100,49)
【关键词】低噪声放大器;噪声系数;低电压;折叠式共源共栅;线性度提高 【作者】徐跃;杨英强
【作者单位】南京邮电大学,光电工程学院,江苏,南京210003;南京邮电大学,光电工程学院,江苏,南京210003 【正文语种】中文 【中图分类】TN43 【相关文献】
1.0.9V2.4GHz CMOS低噪声放大器设计 [J], 杨虹; 余运涛
2.低功耗2.4GHz 0.18μm CMOS全集成低噪声放大器设计 [J], 孔晓明; 黄风义; 王志功; 张少勇
3.2.4GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计 [J], 叶有祥; 周盛华; 李海
华
4.2.4GHz CMOS全集成低噪声放大器的设计 [J], 尹玉军
5.1.9GHz低电压低功耗CMOS射频低噪声放大器的设计 [J], 周建明; 陈向东; 兰萍; 谢睿; 徐洪波
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