第一部分：模电数电基础知识技术测试题
姓名： 安江涛 得分：
1. 电阻的特性有（A），电容的特性有（B），电感的特性有（C）二极管的特性有(D)
A、 分压、限流 B、 通交隔直 C、通直阻交 D、 单向导通
2. 电阻越大，说明（A）
A、阻碍电流的能力越大 B、同一时间内消耗的能量越多 C、功率越大 D、电压越大
3 回忆总结：尽可能多的写出你接触到的电阻阻值（从小到大） 18Ω,1K,4.7K,10K 4.回忆总结：尽可能多的写出你所知道的电阻的作用(每种作用要联想实际电路画出最好)：1.分压限流（稳压二极管电路） 2.上下拉 3. RC震荡电路 5. 关于上拉电阻，正确的有( AC)
A、上拉，就是通过一个电阻将信号接电源，一般用于时钟信号数据信号等。
B、TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值 C、加大输出的驱动能力 D、提高抗电磁能力,空脚易受电磁干扰 6. 关于下拉电阻正确的有（ AD ）
A、下拉，就是通过一个电阻将信号接地，一般用于保护信号。
B、TTL驱动CMOS时,如果TTL输出最低高电平低于CMOS最低高电平时,提高输出高电平值 C、加大输出的驱动能力 D、提高抗电磁能力,空脚易受电磁干扰
7. 关于上下拉电阻的选择，结合开关管特性和下级电路的输入特性进行设定，要考虑的因素以下正确的有（ AB）
A、驱动能力与功耗的平衡。以上拉电阻为例，一般地说，上拉电阻越小，驱动能力越强，但功耗越大，设计是应
注意两者之间的均衡。
B、下级电路的驱动需求。同样以上拉电阻为例，当输出高电平时，开关管断开，上拉电阻应适当选择以能够向下
级电路提供足够的电流。 C、高低电平的设定。不同电路的高低电平的门槛电平会有不同，电阻应适当设定以确保能输出正确的电平。以上
拉电阻为例，当输出低电平时，开关管导通，上拉电阻和开关管导通电阻分压值应确保在零电平门槛之下。 D、频率特性:：以上拉电阻为例，上拉电阻和开关管漏源级之间的电容和下级电路之间的输入电容会形成RC延迟，
电阻越大，延迟越大。上拉电阻的设定应考虑电路在这方面的需求。下拉电阻的设定的原则和上拉电阻一样的
8. 关于电容，以下说法正确的有(BCD)
A、两片相距很近的金属中间被某物质（固体、气体或液体）所隔开，就构成了电容器。两片金属称为极板，中间
的物质叫做介质。电容器也分为容量固定的与容量可变的。但常见的是固定容量的电容，最多见的是电解电容和瓷片电容。
B、在电子线路中，电容用来通过交流而阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号 C、电容通交流，交流频率越高越容易通过，越低越不容易通过，可以说：通高阻低。 D、大电容主要用来通低频、小电容主要用来通高频。
9．电容是通交隔直，说明交流电流可以穿过电容内部，对吗？（错）
10. 直流和交流都能对电容充电吗?(对)。联想51单片机的上电复位电路：直流充电过程中会有瞬时电流吗?(会) 充电完成后还有电流吗?(没有)
11. 电容越大，对电荷的存储能力越强，对吗?(对)。理论上讲，电容越大，容抗就越小，频率越高就越能通过,对吗？(不对)。但实际上，为什么高频旁路电容却选择小电容，低频旁路电容选择却大电容(或者用一句话说：高频通不过大电容，低频通不过小电容)?电容上的电荷量不会突变，而是时间的函数。充放电都需要时间。 12. 容抗和阻抗类似，都是对电流的阻碍作用，只不过容抗主要是在交流电路里面说的，对吗?(对)
13. 回忆总结：尽可能多的写出你所接触的带电压参数电容容值(从小到大)： 6pf，0.1uf，100uf 14. 回忆总结：尽可能多的写出你所知道的在电路中电容的作用(每种作用要联想实际电路画出做好)： 滤波，去耦，
旁路。 15. 关于电容容值大小选择问题：同容抗下，频率越高，容量可以选的越小。另外就是对脉冲电路中，因为电容是充电后保持电压缓慢放电，负载电流越大，容量就要越大，经验是，音频信号耦合是在1U以下，高频调制在1n以下，电
源和滤波是在100U以上，对吗？(对)
16. 电感是衡量线圈产生电磁感应能力的物理量,电感的特性与电容的特性正好相反，它具有阻止交流电通过而让直流 电顺利通过的特性，对吗？(对 )
17. 感抗和容抗类似，都是指在交流电路中对电流的阻碍作用，对吗？（对）
18. 电感量越大，电感的阻碍作用就越大；交流电的频率高，也难以通过线圈，电感的阻碍作用也大，对吗?(对) 19. 滤波作用时，电感一般是串 联（串并联）在电路里，电容一般是联 并 联（串并联）在电路里。
20. LC振荡电路主要用来产生 交流 信号，电路中的选频网络由 电感 和 电容 组成。常见的LC正弦波
振荡电路有
LC振荡电路、 LC振荡电路和 LC振荡电路，它们的选频网络采用LC并联谐振回路。 LC振荡电路运用了电容跟电感的储能特性，让电磁两种能量交替转化，也就是说电能跟磁能都会有一个最大最小值， 也就有了振荡。不过这只是理想情况，实际上所有电子元件都会有损耗，能量在电容跟电感之间互相转化的过程中要 么被损耗，要么泄漏出外部，能量会不断减小，所以实际上的LC振荡电路都需要一个放大元件，要么是三极管，要么 是集成运放等数电IC，利用这个放大元件，通过各种信号反馈方法使得这个不断被消耗的振荡信号被反馈放大，从而 最终输出一个幅值跟频率比较稳定的信号。
21. 硅二极管的导通电压是(0.7V)，导通后，不管外界电源给二极管两端增加多高电压(不损坏的可承受范围内)，二
极管两端的电压始终在导通电压附件(变化很小),对吗？( 对 )
22. 回忆总结：尽可能多的写出你所接触到的二极管型号： 4148. 23. 回忆总结二极管在电路中的作用：如果起限幅作用，一般和负载 并 (串并联)。如果起整流(半波和全波整流) 作用，一般和负载 串 (串并联)。如果起稳压作用，是利用 反向击穿 特性制成的，一般和负载 并联 (串
并联)
24．关于三极管作用以下说法正确的有（ABCD）
A、放大作用，（工作时，三极管工作在放大区）用来组成放大电路
B、电子开关作用（工作时，三极管工作在饱和区和截止区）
C、不一样的三极管的作用都是不一样的。有稳压三极管，整流三极管，放大三极管，导通电路三极管等 D、和水龙头差不多,水龙头控制水的流量,三极管控制电的流量.三极管有3条线,一条入,一条出,另一条是控制的 25.如下图NPN三极管三种状态，放大状态的是(A), 截止状态的是(B), 饱和状态的是(C)
26.如下图PNP三极管三种状态，放大状态的是(A), 截止状态的是(C), 饱和状态的是(B)
27. 回忆总结：尽可能多的写出你所接触到的三极管： 9012,9013 28.TTL工作电平是：（B） CMOS工作电平有：（A） A、 3.3V B、 5V C、 9V D、 12V 29.TTL电平输出高电平是（A）输出低电平是（B）
A、 >2.4V B、 >2.0V C、 < 1.2V D、 < 0.8V 30.TTL电平输入高电平是（A）输入低电平是（B）
A、 >2.4V B、 >2.0V C、 < 1.2V D、 < 0.8V 31.CMOS电平输出高电平是（A）输出低电平是（D）
A、>0.9VCC B、 >0.7VCC C、 < 0.1VCC D、 < 0.3VCC 32.CMOS电平输入高电平是（A）输入低电平是（D）
A、>0.9VCC B、 >0.7VCC C、 < 0.1VCC D、 < 0.3VCC 33.关于TTL和CMOS以下说法正确的有（AB ）
A、coms电路是电压控制器件,它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。所以，不用的管脚不要悬空，要
接上拉电阻或者下拉电阻
B、TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大,COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),
但功耗低。 C、 COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
D、TTL电路是电流控制器件,悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。 34.COMS电路当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片。关于锁定效应，正确的有（B）
A、锁定效应是指：COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大。
B、防御措施可以是在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压 C、防御措施：芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。 D、防御措施：在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。 35.16进制0XAB变为二进制是(1010 1011), 0XFE变为二进制是(1111 1110) 36.二进制0110 1011 1010 0101变为十六进制是( 0x6BA5 ) 37. (560)10=( 230)16=(0010 0011 0000 )2=(0x0230)8421BCD 38.对160个符号进行二进制编码，至少需要（8）位二进制数
39.三态门的三种输出状态是（ 0 ），（ 1 ），（ 高阻 ） 40.逻辑代数又称布尔代数，基本的逻辑关系有（ 与 ）（ 或 ）（ 非 ）三种。
41.含用触发器的数字电路属于 时序逻辑电路 （组合逻辑电路、时序逻辑电路）。
42.时序逻辑电路按其触发器有无统一时钟控制信号分为（ 同步 ）时序电路和（ 异步 ）时序电路。（蒙的） 43.TTL与非门输入端悬空，则可以看作输入电平为 高 （高、低电平）。 44.要对256个存贮单元进行编址，则所需的地址线是 8 条。
45. 我们讲话的声音通过话简转变为电信号之后是 模拟 （模拟、数字）信号；若要转换为计计算机能够处理的信号要通过 AD转换 电路。
46.串行传输的数据转换为并行数据时，可采用 寄存器。
47.存储器中，通过 地址 （地址、数据、控制、电源）线要找到相应的存储单元；通过 数据 （地址、数据、控制、电源）线送入或输出的数据。
48.只读存储器是 ROM （RAM、ROM、PLD）。
49.用红绿黄三个指示灯反映三种设备的工作情况：绿灯亮表示全部正常；红灯亮表示一台不正常；黄灯亮表示两台不正常。红黄等亮表示全部不正常。请列出控制电路真值表，写出逻辑表达式，画出电路。 红1亮、0不亮 黄 绿 1、2、3三台设备1正常0不正常 0 0 1 1
0 1 0 1 1 0 0 0 111 100 110 000
50.如图电路中，写出表达式，并画出真值表。 F=!((!C)||(A&&B))
A 0 0 0 0 1 1 1 1 B 0 0 1 1 0 0 1 1 C 0 1 0 1 0 1 0 1 F 0 1 0 1 0 1 0 0 51.共阴的LED数码管，若要显示字形“L”，则
a= 0 ，b= 0 ， c== 1 ，d= 1 ， e= 1 ， f= 0 ， g= 0 。（选择0或1填入）
52.数模电结合：设计一雷达探测器测速系统：现有一雷达探测传感器(HB100 微波模块模块)，输出的是正弦波信号，但这个正弦波信号极弱。原理是通过测频率测速。请设计硬件电路和软件程序。(思路提醒：单片机不好直接测试正弦波频率,需要转换成方波，但因信号弱，需要加放大电路进行放大。雷达传感器-放大器-转换成方波的比较器-单片机，可先用Protues进行硬软件仿真)
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