所有拓扑的占空比方程推导 Von*ton=Voff*toff ; Ton/toff=Voff/Von ;
Ton/(ton+toff)=Voff/(Voff+Von); 得
D=Voff/(Von+Voff）
降压Buck
Von=Vin-Vo ；(Von=Vin-Vsw-Vo) Voff=Vo ； (Voff=Vo-(-VD)=Vo+VD))
升压Boost
Von=Vin；(Von=Vin-Vsw)
Voff=Vo-Vin；(Voff=Vo+VD-Vin)
升降压 Buck-Boost
Von=Vin ；(Von=Vin-Vsw) Voff=Vo ; (Voff=Vo+VD)
最恶劣输入电压选择
与峰值电流有关
三拓扑峰值电流计算与最恶劣电压考虑； IAC=△I/2
电流纹波率r=△I/IL=2*Iac/Idc LxI方程
（L*IL）=Et/r ;(所有拓扑）； 综上可得：△I=Et/L;
降压Buck
Iac=△I/2=Et/(2*L)=Vo*(1-D)/(2*L*f) ; Idc=Io ;
Ipk=Io*(1+r/2) ;
对于降压变换器，总是优先从VinMAX（即Dmin）开始电感设计；
升压Boost
Iac=△I/2=Et/(2*L)=（Vin*D）/(2*L*f)=(Vo*D*(1-D))/(2*L*f) ; Idc=Io/(1-D) ;
Ipk=Io/(1-D)*(1+r/2) ;
对于升压变换器，总是优先从VinMIN（即Dmax）开始电感设计；
升降压Buck-Boost
Iac=△I/2=Et/(2*L)=Vo*(1-D)/(2*L*f) ; Idc=Io/(1-D) ;
Ipk=Io/(1-D)*(1+r/2) ;
对于升降压变换器，总是优先从VinMIN（即Dmax）开始电感设计；
选择电感流程 L*I方程
（L*IL）=Et/r ;(所有拓扑）；
即 LxI=伏秒积/电流纹波率;(所有拓扑）； （1）确定最恶劣电压；
（2）计算占空比；[ D=Voff/(Von+Voff) ] （3）计算周期T=1/f;
（4）计算伏秒积（Von*ton）； （5）设r=0.4，计算LxI；
（6）根据负载电流Io和占空比D计算，电感电流IL；(IL=Io(buck); IL==Io/(1-D)(Boost和Buck-Boost）；
（7）根据Et、IL，计算但电感值（uH）；时间单位（us）； （8）计算Ipk，电感额定值电流不小于Ipk；
校验磁芯是否饱和
B=L*I/N*A ；(电流型方程）
Bac=Von*D/(2*N*A*f) ;（电压型方程） B为磁通密度（或磁感应强度），单位为特斯拉（T）或韦伯每平方米（Wb/m2）;
H为磁场强度、磁场密度、磁化力、外加场等，单位是A/m; B=uH; (u是材料的磁导率，MKS单位制中B=uc*H更合适，uc材料磁导率，u0空气磁导率（MKS：4π*10-7 H/m;CGS: 1）,u是相对磁导率。） L电感量（单位H），I电流（单位A），N匝数，A面积（单位m2）； Bpk=L*Ipk/N*A
Bpk一般不能大于0.3T，否则会出现磁饱和；反之可以通过0.3T反推Ipk，当电流达到反推出Ipk时不能通过增加匝数提高电感量。
根据所选择的电感反推是否合适 1. 电流纹波率（约0.3-0.5之间） 由（L*IL）=Et/r 得r=Et/（L*IL）;
实际r接近（并小于）要求的r，则可以接受；
r小于0.4，电感体积要求越大，超过0.4后，提高r电感体积并不会减少太多；
r大于0.4后，电容电流明显增加，发热严重需要选用更低ESR或更低壳对空气热阻的电容（更贵，更大型）。 2. 峰值电流
实际运用Ipk（r和IL由实际条件计算得到）要小于标定Ipk（r和IL由数据手册得到计算得到）；
3. 磁通密度
用伏秒积来分析电压方程
△B=(L*△I)/(N*A)=Et/(N*A)(单位：T）； （MKS单位制，面积A的单位是m2） △B=100*Et/(N*A)(单位：G）； （CGS单位制，面积A的单位是cm2）
举例：Et100 =10.12Vus 则意着产生100G的Bac需要伏微秒积为10.12。因为Bac=△B/2,所以相应的△B为200G（每10.12Vus）。注意，G代表的单位是高斯。 前面介绍过的△B和Et的关系式： △B=100*Et/(N*A) (所有拓扑）；
既然（对于给定电感）△B和Et成正比，可以断定所选成品电感的设计磁通密度变化量为 △B=Et/Et100*200=59.4/10.12*200=1174G (所有参数见电感规格表）； 设计的峰值磁通密度为
Bpk=[（r+2）/(2*r)]*200 (所有参数见电感规格表） (
推导：
由 r=2Iac/Idc=2Bac/Bdc 得 Bpk=[（r+2）/(2*r)]*△B ； Ipk=[（r+2）/(2*r)]*△I ； ）
计算实际应用中△B和Bpk（Et，r，△B由应用条件求得）
根据L/NA=Bpk/Ipk 计算的比例常数（参数由应用条件求得）；根据匝数、电感量、面积反推验证结果。
4. 铜损、线圈损耗 电流有效值的平方方程
IRMS2=△I2/12+Idc2=Idc2(1+r2/12) ; (所有拓扑）； 铜损
Pcu=IRMS2 * DCR ；(所有拓扑）；
5、磁芯损耗 Pcore
见规格书的磁芯损耗方程，与B和f有关。（需要分清楚B，Bac，△B的关系）； 铁氧体电感占总损耗的5％-10％，铁粉电感占20％-30％； 铁粉芯饱和特性更软，可以承受很大的非正常电流而不导致开关管瞬间损坏。但其中粘合铁粒子的有机粘合剂会降解，存在寿命问题。
6、温升
Rth=△T/W (单位：℃/W) (所有拓扑，参数见电感数据手册） P=Pcu+Pcore； △T=Rth*P ； 验证完成。
计算其他最恶劣应力 见P97；
反激式变压器基础
匝比n=np/ns ;np 一次绕组匝数，ns 二次绕组匝数 ；
反激变换器直流传递函数
Von Voff 占空比D 原边侧 Vin VOR=(Vo+VD)/n 副边侧 VINR=Vin/n Vo+VD D=Voff/(Von+Voff） D=Vo/(VINR+Vo) D=VOR/(VIN+VOR） D=nVo/(VIN+nVo)
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