电子线路试卷

2011-2012学年第二学期《电子线路》试卷共4页

系 班级 姓名 学号 得分

一、填充题（40分）

1．晶体管实现放大作用的外部条件是 、 ，电流分配关系是 。

2．纯净半导体又称 半导体，其内部空穴和自由电子数量 ，P型半导体又称 半导体，其内部少数载流子是 。

3．硅管的门坎电压约为 伏，正向压降约为 伏。 4．半导体是一种导电能力介于___导体______与____绝缘体_______之间的物体.

5．晶体管工作在放大区时，其发射结两端加 电压，集电结两端加 电压。

6．晶体管输出特性是指 和 的数量关系。

7．PN结的单向导电性是指：当PN结正向偏置时，电阻 ，处于 状态，当PN结反向偏置时，电阻 ，处于 状态。

8.二极管内部有一个 结，所以具有 性，即：二极管加 电压时导通；加 电压时截止。

9. 三极管内部有 个PN结： 结和 结。 有三个区： 区、 区、 区。 有三个电极： 极、 极、 极。

10. 三极管根据内部结构的不同，可分为 型和 型。 11. 三极管有三种工作状态：

① 状态；在这种状态下，PN结的偏置情况为： 。

② 状态；在这种状态下，PN结的偏置情况为： 。

③ 状态；在这种状态下，PN结的偏置情况为： 。

二、是非题（20分）

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1．晶体三极管具有能量放大作用。

2．用万用表测量电子线路中晶体管的UCE，当UCE≈UCC时，晶体管处于饱和状态，当UCE≈0时，晶体管处于截止状态。

3．在半导体内部,只有电子是载流子.

4．半导体器件一经击穿便将失效，因为击穿都是不可逆的。

5．三极管无论工作在何种工作状态，电流Ie=Ib+Ic=(1+β)Ib总是成立。 6．稳压管的动态电阻越大，稳压性能越好。

7．二极管两端的反向电压一旦超过最高反向工作电压，PN结就会击穿。 8．少数载流子是自由电子的半导体称为N型半导体。

9．三极管的发射结正偏，集电结反偏，就一定工作在放大状态。

10．三极管工作在饱和状态时，对NPN管VC>VB>VE，对PNP管VE>VB>VC。 三、选择题：(14分)

1、如晶体二极管的正、反向电阻都很小，则该二极管（ ） A、正常： B、己被击穿： C、内部短路

2，在单相桥式整流电路中，如果有一只整流二极管接反，则 ( )． A、将引起电源短路； B、将成为半波整流电路： C、任为桥式整流电路．

3、当晶体管工作在饱和状态时，它的ＩＣ将（ ）

Ａ、随ＩＢ的增加而增加 Ｂ、随ＩＢ的增加而减小 Ｃ、与ＩＢ无关，只决定于ＲＣ和

ＶＧ。

4、测得工作在放大电路中某三极管三个电极的电位分别为11.8V、12V、5V，则可判断该管为（ ）

Ａ、NPN型硅管； Ｂ、NPN型锗管 C、PNP型硅管．

５、晶体二极管的正极电位是－12Ｖ，负极电位是－8Ｖ，则该管（ ）

Ａ、零偏 Ｂ、反偏 Ｃ、正偏 ６、晶体三极管的两个ＰＮ结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是（ ）

Ａ放大状态 Ｂ饱和状态 Ｃ截止状态

７．当三极管反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（ ）

Ａ增大 Ｂ反向 Ｃ中断 三、图所示给出各三极管的每个电极的电位。判别各三极管处于何种工作状态。（9分）

2

四、计算题（17分）

１、 如图所示，若输出电压VL=9V，负载电流IL=1A。试求：（1）电源变压

器次级绕组电压V2（2）整流二极管承受的最大反向电压VRM；（3）流过二极管的平均电流IV。

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２、 画出半波整流电路图。若负载电流IL=10mA，负载电阻RL=0.9KΩ，试

求：（1）电源变压器次级绕组电压V2（2）整流二极管承受的最大反向电压VRM；（3）流过二极管的平均电流IV。

3、某三极管β＝１００，Ｉ

β＝４０mＡ，则其集电极电流ＩＣ为多少？

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