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第三讲器件仿真

来源:用户分享 时间:2025/7/24 3:51:45 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
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#定义电极

electr name=anode x.min=5 length=2 electr name=cathode bot

#.... N-epi doping 定义初始掺杂浓度 doping n.type conc=5.e16 uniform #.... Guardring doping 定义p环保护掺杂

doping p.type conc=1e19 x.min=0 x.max=3 junc=1 rat=0.6 gauss doping p.type conc=1e19 x.min=9 x.max=12 junc=1 rat=0.6 gauss #.... N+ doping

doping n.type conc=1e20 x.min=0 x.max=12 y.top=2 y.bottom=5 uniform save outf=diode.str

tonyplot diode.str -set diode.set

#物理模型定义

model conmob fldmob srh auger bgn #定义接触电极类型

contact name=anode workf=4.97 #偏压初始化 solve init #数值计算方法 method newton

log outfile=diodeex01.log

#设置偏压求解

solve vanode=0.05 vstep=0.05 vfinal=1 name=anode tonyplot diodeex01.log -set diodeex01_log.set quit

解析:

(1)

第一部分语句用来描述器件,包括网格参数(mesh), 电极设置 (electrode locations)以及掺杂分布(doping distribution) 这是 一个具有重掺杂的浮动式环状保护区域的二维n类型器件,它分布 在结构的左右两边。肖特基阳极在器件顶端,重掺杂的阴极位于器件 底端。

(2) 在器件描述之后,模型语句被用来定义下列模型:

载流子浓度、迁移率、场迁移率、能隙变窄、SRH激发复合模型、 Auger复合模型、双载流子模型(carriers=2)。

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