模拟电子技术基础试题汇总 (3)

（3） 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种？或是已经损坏？（指出哪个结已坏，是

烧断还是短路？）

提示：注意在放大区，硅管UBE?UB?UE?0.7V，锗管UBE?0.3V，且

UCE?UC?UE>0.7V；而处于饱和区时，UCE?0.7V。

解： (a) NPN硅管，工作在饱和状态；

(b) PNP锗管，工作在放大状态； (c) PNP锗管，管子的b-e结已开路； (d) NPN硅管，工作在放大状态； (e) PNP锗管，工作在截止状态； (f) PNP锗管，工作在放大状态； (g) NPN硅管，工作在放大状态；

(h) PNP硅管，工作在临界饱和状态。

十、二极管电路如图所示，设二极管均为理想二极管，vs=10sinωt（V）。 （1）画出负载RL两端电压vo的波形。 （2）若D3开路，试重画vo的波形。 （3）若D3被短路，会出现什么现象？

（3）若D3被短路，则在输入电压的正半周将使电源短路，烧坏电源。

2．共射放大电路如图所示。

( 1)试确定电路的静态工作点( 写出IBQ.ICQ和VCEQ的表达式)； ( 2)画出该放大器的小信号等效电路；

( 3)画出该放大器的输入电阻.输出电阻.电压增益Av及源电压增益Avs的表达式( 设电容

的容抗可忽略不计)；

( 4)用直流电压表测量时，若出现VCEQ≈0V或VCEQ≈24V，说明三极管工作在什么状态？ ( 5)用示波器观察vO端波形时，若出现图b所示情况，为何种失真？应如何消除？ ( 6)若想改善放大器的低频特性，可以采用什么方法？

( a) ( b)

解答：( 1)IBQRb?VBE?(1??)IBQ?(Re1?Re2)?VEE ICQ VCEQ?(VCC?VEE)?IC(RC?Re1?Re2) ( 2)

+ rbe υi Rb Re1 – ib ic

IBQ?VEE?VBERb?(1??)(Re1?Re2) ??IBQ

?ib Rc + RL υo – ( 3)

Ri?Rb//[rbe?(1??)Re1]

RO?RC

?RC//RLA???rbe?(1??)Re1

RiA?S?A??Ri?RS

( 4)

VCE?0饱和 VCE?24V截止

增加Re2阻值 ( 5)饱和失真( 6)改善低频?fL??增大C1,C2,C3的容量

五、判断图示各电路的反馈极性及交、直流反馈（若是两级放大电路只需判断级间反馈）。

解：（a）R3、A2引入交、直流负反馈 （b）R6引入交、直流负反馈 （c）R2引入交、直流正反馈 （d）R2、C引入交流负反馈 六、试分别判断图示各电路中的反馈类型。

解：（a）交、直流并联电流负反馈； （b）交、直流串联电流负反馈； （c）交、直流串联电压负反馈；

（d）R1、 R2: 交、直流并联电压负反馈； R4、R5: 交、直流串联电压负反馈。

2.实验电路如图8(a)所示，示波器( 已校准)X轴扫描档位为0.25ms/div，输入.输出信号对应通道的Y轴档位分别为10mV/div和1V/div，图8(b)是甲同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号ui( 上)和输出信号uo( 下)；图8(c)是乙同学做实验时在双踪示波器观测到的输入信号ui( 上)和输出信号uo( 下)。

( 1)甲.乙两同学哪个同学实验电路参数调整的合理？并根据该同学观察到的波形求输入信

?。( 6分) 号的频率f及电压放大倍数Au( 2)电路参数调整的不合理的同学所观察到的输出波形出现了何种失真？如何调整R?才能

消除这种失真？( 4分)

(a) (b) (c) 解：

（1） 甲同学电路参数调整的合理；( 共6分)

由图知：T?2?0.25?0.5mS，Uipp?1.5?10?15mV，Uopp?3.2?1?3.2V 信号的频率f?11??2KHZ T0.5mS???Uopp?3.2V??21.3 AuUipp15mV( 2)电路参数调整的不合理的同学，也就是乙同学，观察到的输出波形发生了饱和失真；调整R?使之增大可以消除该失真。( 共4分)

三、电路如图所示，晶体管的?＝60，rbb??100Ω。

（1）求解Q点；

?、Ri和Ro； （2）画出微变等效电路，并求Au （3）设Us＝10mV（有效值），求UI、UO；若C3开路，求UI、UO 、Ri和Ro。

解：（1）Q点：

IBQ? ICQ?（2）微变等效电路：

UCC?UBEQRb?(1??)Re?31 μA

? IBQ?1.88mA UCEQ?UCC?ICQ(Rc?Re)?4.48V

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