元器件考题

第一章

? 何谓电容器? 描述电容器的主要参数有哪些?

由介质隔开的两块金属极板构成的电子元件，广泛用于储能和传递信息。

１. 标称容量和允许误差 ２. 额定电压 ３. 绝缘电阻 ４. 电容器的损耗 ５. 其他参数（频率特性，温度系数， 稳定性，可靠性）

? 有哪些类型的电容器? 各有何特点?

无机介质电容器：介电常数高,介质损耗角正切小，电容温度系数范围宽，可靠性高，寿命长．

有机介质电容器：电容量范围大，绝缘电阻(时间常数)大，工作电压高(范围宽)，温度系数互为偿，损耗角正切值小，适合自动化生产．热稳定性不如无机介质电容器，化学稳定性差, 易老化 ，具有不同程度的吸湿性

电解电容器 ：比电容大，体积小、质量轻，有自愈特性 双电层电容器(超级电容器)

? 何谓电阻器? 可采用哪些主要的参数描述电阻器的性能优劣?

具有吸收电能作用的电子元件，可使电路中各元件按需要分配电能,稳定和调节电路中的电流和电压。

１. 标称阻值和允许误差 ２. 额定功率 3. 额定电压 4. 噪声

? 有哪些主要类型的电阻器? 分别采用什么符号表示这些类型的电阻器? １．薄膜电阻器 2．合金型电阻器 3无帽结构电阻器4高频电阻器5小片式电阻器 ? 何谓电感器? 描述电感器的主要参数有哪些? 凡能产生电感作用的元件统称为电感器

１. 电感量及其误差 ２. 线圈的品质因数 ３．固有电容 ４．额定电流 ５．稳定性 ? 有哪些主要类型的电感器?

固定电感器，平面电感器，天线线圈，震荡线圈，阻流圈 ? 简述矩形片式厚膜电阻器的电极结构特点及其设计依据．

? 简述MLC的结构特点．

? 试述片式铝电解电容器的结构特点和制作工艺过程，并简要说明各工序的作用． 结构模型：电容器芯子/密封料/电极端子/封装树脂/矩形端子板

工艺过程：腐蚀，形成，切断，柳接，卷绕，浸渍，装配，卷边，组合装配，特性测试，包装

? 试述片式钽电解电容器的结构特点和制作工艺过程，并简要说明各工序的作用． 结构模型：钽/氧化钽/二氧化锰/胶状石墨层/导电涂料层/导电性粘接剂层

工艺过程：掺合，引线埋人加压成型，干燥烧结，阳极氧化，粘附二氧化碳，中间形成，石墨层，涂敷固化，连接，模塑封装，引线成型，老化，检验，包装

? 比较片式铝电解电容器和钽电解电容器的结构差别．

? 简述片式薄膜电容器的结构特点． 带基薄膜—蒸镀电极一喷镀薄膜一外部电极

? 有哪三种片式电感器？与目前使用的片式电感器相比，编织型片式电感器有何特点？简述框式电感器的制作过程． I．框式：结构最简单，但电感量较小

II．螺旋式：能够获得较大的电感量，但要从中间抽头出来比较困难 III．叉指式：电感量介于上述两者之间，但高频损耗大

编织型片式电感器特点： 单位体积电感量比目前已使用的片式电感器有所提高，但使用频率不高，Ｑ值低，尚未进入实用阶段，但这种工艺技术新颖．

第二章:

1. 何谓微电子学?

一种将电子产品微小型化的技术，他的核心产品是集成电路。

2. 何谓半导体集成电路? 何谓膜集成电路(膜IC)?何谓薄厚膜混合集成电路(HIC)? 三

者的主要区别是什么? 半导体集成电路：

也叫单片集成电路或固体集成电路，用半导体工艺（氧化、扩散、外延）在半导体硅或锗衬底上制作出电路或系统所需要的元器件及互连线的集成电路。 膜集成电路：

用膜工艺在绝缘基片上制作的，分薄膜方式和厚膜方式。 混合集成电路：

用膜工艺制造无缘元件，用半导体IC或晶体管作有源器件制作而成的集成电路。 主要区别：

混合IC生产成本较低，半导体IC设计难度较大、设计周期长、没有电感量、精度差、集成度最高，混合IC和膜IC阻值范围较大。

3. 何谓摩尔定律？

集成度每3年翻2番，特征尺寸每6年缩小近1倍。

4. HIC主要由哪几类材料组成？各起什么作用？(注意那道作业题) 主要由基片材料，薄膜材料，厚膜材料组成。 作用：

基片材料：在HIC仲，承载膜式元件及互连线，支持各种外贴元器件并起包封作用、在大功率电路中还起散热作用的绝缘体。 薄膜材料：

薄膜导体：连接电阻器的端头，电容器的上、下电极，连接线(膜式元件互连，外贴元器件连接)，高频电感器、微带线和接地线；

薄膜电阻：制作各种电阻器

薄膜介质：薄膜电容器的介质、作为隔离层的介质膜、作为保护层的介质膜。 钽膜材料：制作TM电容器，TSM电容器，TMM电容器，TLM电容器等 薄膜晶体管（TFT）：信号转换和开闭作用 厚膜材料：

厚膜导体：其用途和基本性能要求与薄膜有许多相同点。 厚膜电阻：用于制作电阻。

厚膜介质：在HIC中，厚膜介质材料常用来作厚膜电容器、多层布线和交叉线的隔离介质、电路中的保护层和包封之用。

5. 何谓TM电容器？从结构上看，TM电容器，独石电容器与电解电容器三者有何区

别？ (注意掌握所有与钽有关的电容器) 钽电容是以金属钽作介质的电解电容器。 TM电容器：Ta/Ta2O5/Me

TSM电容器： Ta/Ta2O5－ＳiO/Me TMM电容器： Ta/Ta2O5－ＭnO2/Me TLM电容器：Ta/Ta2O5－ＰbO/Me

6. 典型的TFT(薄膜晶体管)属于何种类型的器件？结构上有何特点？(注意掌握两种

基本结构)

典型的TFT是场效应管的一种，属于有源器件。 结构特点：

平面型结构：S、D、G电极都配置在半导体之上（或之下），几乎在同一平面上 交错型结构：D、S极在半导体之下（或上），而G电极缺配置在半导体之上（或下）。

7. 从材料组成和制作工艺上看，薄膜电阻与厚膜电阻有何不同？(注意拓展到导体和介

质) 材料组成：

薄膜电阻和厚膜电阻均包括金属材料和合金材料，薄膜电阻还包括金属—陶瓷材料。 导体材料（单组分金属材料，合金材料，金属--陶瓷材料）主要介质材料（SiO，SiO2，高介介质膜，中介介质膜） 制作工艺：

电阻 厚膜工艺：直线形、帽形；薄膜工艺：帽形、弯曲形。

导体/介质 厚膜工艺：制浆，印刷，烘干，烧成，微调；薄膜工艺：沉积法(真空蒸镀，溅射，热分解等)，氧化(氮化)法 。

8. 厚膜介质材料在HIC中有哪几种用途？各向材料提出了哪些要求？

常用来作厚膜电容器、多层布线和交叉线的隔离介质、电路中的保护层和包封之用。 要求：

耐压强度高，绝缘电阻大，损耗小 电容温度系数小 用作厚膜电容器时： 介电系数要大

用作交叉，多层布线和包封时： 介电系数要小

9. 何谓膜电阻？与电阻率有何关系？如何调整膜电阻器的阻值？

膜电阻含义：长,宽相等的一块正方形电阻膜,当电流从一边流向其对边时电阻膜所具有的电阻值,也称为方阻Rs

与电阻率的关系：膜电阻器的电阻：R=RsN 其中：Ｒs=r/d (膜电阻或方阻) N=L/W (方数) r----电阻率 d----膜的厚度

一形状规则宽度均匀的电阻膜的电阻为:R=RsL/W=RsN 而膜长L与膜宽W的比值叫做方数N 电阻微调的设计： 改变电阻膜图形

改变电阻膜图形连接方式 改变电阻膜内部结构

10. 何谓膜电容器？如何调整多层膜电容器的总电容值？ 薄膜电容和厚膜电容的统称。

11. 简述厚膜多层布线、薄膜多层布线与薄膜平面布线的区别。 厚膜多层布线特点：

１．在基片上依次交叠制作导体和介质层．

２．相邻导体线条交叠而不需要互连处，用介质层加以绝缘．

３．相邻两层导体之间需要连接处，可通过在介质层上留下窗口作为连通孔，使导体通过通孔相连．

４．需经受多次反复烧结，需具有良好的耐重烧性 薄膜平面布线：

目的: 避免出现传统布线中所产生的台阶效应和凹凸不平

工艺过程: 沉积铝?光致抗蚀剂掩蔽不需要布线的表面?硼酸铵溶液选择性阳极氧化,使需要布线区形成无孔性的Al2O3 ?除去抗蚀剂,以无孔Al2O3为掩模,使用草酸溶液进行阳极氧化,形成Al2O3绝缘层

特点: 铝导体被无孔Al2O3完全覆盖,两者紧密结合,具有防止电迁移和提高可靠性的作用.

薄膜多层布线： 薄膜的制作方法：

沉积法(真空蒸镀，溅射，热分解等) 氧化(氮化)法 穿通孔的制作

利用光刻工艺在电介质上制造出来

先在穿通孔内露出下面的导体层,再蒸发沉积上导体层,此时,上导体金属会通过穿通孔与下导体相连.

12. 简述厚膜多层布线与多层陶瓷基片在结构上的区别。 与厚膜多层布线的比较:

相同点: 均经印烧和烧结而成 不同点(以导体图形为例):

印烧精度: 厚膜 ±0.05%,多层陶瓷±1% 导体浆料: 厚膜的贵得多 烧结工艺:厚膜为多次烧成,

多层陶瓷一次烧成 设备费用与维修: 多层陶瓷的高

13. 何谓立体电子封装技术(3DMCM)？该技术有何特点？

3DMCM：采用讲裸芯片或多芯片模块沿Z轴层叠起来，使系统的封装体积大大减小的方法。

特点：高速性，高密度性，高散热性

14. 有哪三种类型的3DMCM？ 1、埋置型3DMCM 2、有源基板型3DMCM 3、叠层型3DMCM

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