(11)嵌入式系统设计实例(2)

2.2.1.2 FLASH接口电路设计

本设计中设定数据宽度为32位,而在ARM中希 望字单元的地址是字对齐的,这就要求地址的 低两位为0,即地址为0B00,因此在连接 SDRAM和FLASH时要使其地址低两位A[0:1]为 0。FLASH采用三星的KM29U128T,FLASH在 实际中主要用nFWE、nFOE、ALE、CLE、 nFCE等的控制信号，电路图如图2-4所示。

2014年7月31日星期四

图 2-4 NAND FLASH接口电路图

图 2-4 NAND FLASH接口电路图

2014年7月31日星期四

2.2.1.3 SDRAM接口电路设计

在本系统中采用两片32M现代海力思的SDRAM 芯片HY57V561620扩展成64M,S3C2410X对 于SDRAM的控制信号有nSRAS、nSCAS、 nSCS[1:0]、DQM[3:0]、SCLK[1:0]、SCKE、 nBE[3:0]、nWBE[3:0]等, 可以直接与 HY5

7V561620相连来控制其存取，其电路接 线图见附录2。

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2.2.2 扩展板硬件电路设计

扩展板的设计主要是根据终端的需要而设计的 一些外围电路，在本系统中主要包含以下几个 部份：电源管理模块、TFT LCD接口、触摸屏 接口、通过SPI接口扩展IO模块、通过UART扩 展GPRS模块、USB接口、10M以太网接口、 JTAG接口，下面就各部份作具体的设计。

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2.2.2.1 电源电路设计

在该系统中，需要使用5V和3.3V的直流稳压电 源，其中，S3C2410X及部分外围器件需3.3V 电源，另外部分器件需5V电源，5V直流电源 通过DC-DC转换成3.3V,由于ARM内核需要 1.8V的电源，因此需要将3.3V再转换成1.8V, 系统电源电路如图2-6所示:

2014年7月31日星期四

图 2-6 电源电路图

图 2-6 电源电路图

2014年7月31日星期四

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