rb?e为发射结电阻，?为共射组态时晶体管的低频放大倍
数。因为在放大区，发射结总是正偏的，所以，rb?e通常很小，一般在几百欧以下。
而?=gmrb?e,?gm?(1??)re
1????1,?gm(跨导gC)?re26mv 而共基放大器的输入电阻 re=（?）IEQ(mA)将输出回路的等效电路简化为如图5 —25（d），以便求出基本放大器的增益A和反馈系数F，最终得到环路增益
??C2?Cb?e，输入阻抗Zi对谐振回路的T(?OSC)。图中C2接入系数
C1n?C2?C'2，
1??Vf??Vf n11?r?2(re//Re)?2reer??R通常ee，所以有nn
由图5 —25（d）可简化为图（e），
图中的电导
??gi? G?gL11'2?g?g??ngi 其中LR? ire?L图中的电纳
?RL?RL//Re0
1B??C??L
?2C1CC1C2C????C2?Cb?e?C2）C2式中 （其中 ?C1?C2C?C12?gV???miV由图（e）可知 f G?jB（电压=电流?电阻）??nV?? 而Vff??为集电极回路两端的电压，如图（d）所示其中VfC1F?n?反馈系数 C1?C2
环路增益
?VT(j?)?AF?o?Vi????VVngmngmff?????G?jB1VV'oi??gi?j(?C?gL)?L当回路发生谐振时，T(j?)分母的虚部为零，即可得到振荡器的振荡角频率为：
令T(?osc?1LC （5.3.3）
?)?1，即可求得振幅起振的条件：
ngmT(?osc)?AF??1 （5.3.4） '??gigL112???ngi （5.3.5 a） 上式可改写为gm?n(gL?ngi)?ngL或
gmn??12 （5.3.5 b） ??ngigL2n由图5 —25（c）可知，gi是gi经电容分压器折算集电极
输出回路上的电导值。
2?g?ngi，谐振回路谐振时，集电极输出回路的总电导为L回路谐振时，放大器的电压增益
A
gm2?(gL?ngi)，n是接入系数，也就是反馈系数。
如何设置电路参数，满足振幅起振条件？ 由式（5.3.5 b）可知，要满足振幅起振条件应增大但增大FA和F，
2nF?n（），gi也随之增大，必将造成A减
小；反之，减小
F
，虽能提高
A，但不能增大T(?osc)，
因此要使T(?osc)较大，必须合理选择F值。一般要求
11
T(?osc)为3～5，F的取值一般为8?2。另外，提
高三极管集电极电流ICQ，可增大gm，从而提高
A，但
1g(??gm)会过大，造成回路
是ICQ不宜过大，否则，ire有载品质因数过低，影响振荡频率稳定度。一般ICQ取值
1?5mA。通常选用fT?5fosc，RL?1K?，反馈
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