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集成中心光刻工艺技术-Semi - 图文

来源:用户分享 时间:2025/5/17 4:32:41 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
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光刻机的四种压紧模式的比较soft contact胶厚>8um,图形最小尺寸>20um 对版便利,图形准确度要求不高hard contactlow-vacuum contact胶厚2-3um,图形最小尺寸--10um 最常用的一种模式vacuum contact胶厚<1.5umum,图形最小尺寸<5um 微细光刻,图形准确,易碎片子光刻工艺的质量要求及常见问题·图形完整、尺寸准确、边缘整齐、陡直Vac的压紧模式显影30秒常见问题1.过曝光(过显影)Vac的压紧模式过显影到60秒光刻工艺中的常见问题Vac的压紧模式显影30秒soft contact的压紧模式30秒显影常见问题2.掩模版没压紧原因:晶片上有颗粒,晶片本身平整度差,压紧方式不对3.光刻胶厚度与版图尺寸不匹配(一般情况,较厚不能大于最小线宽)Lift-off中的常见问题1.Lift-off 掉金层原因:有底膜片子不清洁,显影液太浓处理液没冲干净;金属粘附性不好Lift-off中的常见问题2.剥不下来烘胶温度不合适倒台形状不理想其他:胶厚与金属厚度不成比例蒸发温度过高

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