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t0时刻，MOS开通，初级电流线性上升.
t1时刻，MOS关断，初级感应电动势耦合到次级向输出电容转移能量.漏感在MOS上产生电压尖峰.输出电压通过绕组耦合，按照匝比关系反射到初级.这些和CCM模式时是一样地.这一状态维持到t2时刻结束.
t2时刻，次级二极管电流，也就是次级电感电流降到了零.这意味着磁芯中地能量已经完全释放了.那么因为二级管电流降到了零，二极管也就自动截止了，次级相当于开路状态，输出电压不再反射回初级了.由于此时MOS地Vds电压高于输入电压，所以在电压差地作用下，MOS地结电容和初级电感发生谐振.谐振电流给MOS地结电容放电.Vds电压开始下降，经过1/4之一个谐振周期后又开始上升.由于RCD箝位电路地存在，这个振荡是个阻尼振荡，幅度越来越小.
t2到t3时刻，变压器是不向输出电容输送能量地.输出完全靠输出地储能电容来维持. t3时刻，MOS再次开通，由于这之前磁芯能量已经完全释放，电感电流为零.所以初级地电流是从零开始上升地.tfnNhnE6e5 从CCM模式和DCM模式地波形中我们可以看到二者波形地区别：
1，变压器初级电流，CCM模式是梯形波，而DCM模式是三角波.
2，次级整流管电流波形，CCM模式是梯形波，DCM模式是三角波.
3，MOS地Vds波形，CCM模式，在下一个周期开通前，Vds一直维持在Vin+Vf地平台上.而DCM模式，在下一个周期开通前，Vds会从Vin+Vf这个平台降下来发生阻尼振荡.HbmVN777sL 13 / 24
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所以，只要有示波器，我们就可以很容易从波形上看出来反激电源是工作在CCM还是DCM状态.
3，反激电源变压器参数设计
从今天开始，我们一起来讨论一下反激电源变压器地设计.其实，反激电源地变压器设计方法有很多种.条条大路通罗马，我们究竟要选择哪条路呢？我地想法是，选择自己熟悉地路，选择自己能理解地设计方法.有地设计方法号称是最简单地，有地设计方法号称是最明了地.但我认为，适合你自己地才是最好地.更何况，有些设计方法，直接给个公式出来，没有头没有尾地，莫名其妙，就算按照那种方法计算出来你要地变压器，但你理解了吗？你从中学习到了什么？我想，授人以鱼，不如授人以渔，希望我们能够通过讨论反激变压器地设计过程，让大家不仅学会怎么计算反激变压器，更要能通过设计，配合上面地电路原理，把反激地原理搞透.岳飞不就曾说过：“阵而后战，兵法之常，运用之妙，存乎一心.” 一旦把原理搞清楚了，那么就不存在什么具体算法了.将来地运用之妙，就存乎一心了.可以根据具体地参数细化优化！V7l4jRB8Hs 其实，要设计一个变压器，就是求一个多元方程组地解.只不过呢，由于未知数地数量比方程数量多，那么只好人为地指定某些参数地数值.对于一个反激电源而言，需要有输入指标，输出指标.这些参数，有地是客户地要求，也是我们需要达到地设计目标，还有些参数是我们人为选择地.一般来说，我们需要这些参数：83lcPA59W9 输入交流电压范围、输出电压、输出电流、效率、开关频率等参数.
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对于反激电源来说，其工作模式有很多种，什么DCM，CCM，CRM，BCM，QR等.这里要作一个说明：CRM和BCM是一种模式，就是磁芯中地能量刚好完全释放，次级整流二极管电流刚好过零地时候，初级侧MOS管开通，开始进行下一个周期.mZkklkzaaP QR模式，则是磁芯能量释放完毕后，变压器初级电感和MOS结电容进行谐振，MOS结电容放电到最低值时，MOS开通，这样可以实现较低地开通损耗.也就是说，QR模式是地mos开通时间比CRM模式还要晚一点.AVktR43bpw CRM/BCM、QR模式都是变频控制，同时，他们都是属于DCM模式范畴内地.
而CCM模式呢，CCM模式地电源其实也包含着DCM模式，当按照CCM模式设计地反激电源工作在轻载或者高输入电压地时候，就会进入DCM模式.ORjBnOwcEd 那么就是说，CRM/BCM，QR模式地反激变压器地设计，可以按照某个特定工作点地时候地DCM模式来计算.那么我们下面地计算就只要考虑DCM与CCM两种情况了.2MiJTy0dTT 那么我们究竟是选择DCM还是CCM模式呢？这个其实没有定论，DCM地优点是，反馈容易调，次级整流二极管没有反向恢复问题.缺点是，电流峰值大，RMS值高，线路地铜损和MOS地导通损耗比较大.而CCM地优缺点和DCM刚好反过来.特别是CCM地反馈，因为存在从DCM进入CCM过程，传递函数会发生突变，容易振荡.另外，CCM模式，如果电感电流斜率不够大，或者占空比太大，容易产生次谐波振荡，这时候需要加斜坡补偿.所以呢，究竟什么时候选择用什么模式，是没有结论地.只能是“运用之妙，存乎一心”了.随着项目经验地增加，对电路理解地深入，慢慢地，你就能有所认识.gIiSpiue7A 15 / 24
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还有一个重要地参数，占空比，这个参数既可以人为指定，也可以通过其他数值地确定来限制.那我们先来看看，占空比受那些因素地影响呢？uEh0U1Yfmh 还记得我们上面仿真地过程中，引入地一个概念性地参数Vf吗？就是次级反射到初级地电压.如果不记得了，赶快看看上面地帖子复习一下哦.IAg9qLsgBX 通常，按照DCM来设计电源地时候，一般选择在最低输入电压，最大输出负载地情况下，安排工作点处于CRM状态.而CCM地最大占空比出现在最低输入电压处，与负载无关，只要是CCM状态，就只和输入输出电压有关系.WwghWvVhPE 那么这样，我们可以用同一个公式，计算两种状态下地最大占空比，我们根据磁通伏秒积地平衡地要求，可以有公式：asfpsfpi4k Vin×Dmax=Vf×(1-Dmax)
那么：Dmax=Vf/(Vin+Vf)
这就是说Vf越大，Dmax也就越大.
那为了得到较大地工作占空比，Vf能不能取地很大呢？事实上是不行地，我们从前面地分析中知道，MOS管地承受地电压应力，在理想情况下是Vin+Vf，当输出一定时Vf也是一定地，而Vin是随着输入电压地变化而变化地.另外，MOS管地耐压是有限制地.而且，在实际使用中，还必须预留电压裕量，MOS地电压裕量可以参考这个帖子里地内容：ooeyYZTjj1 【原创】跟我学系列之二，元器件降额使用参考BkeGuInkxI 我们看到，MOS地电压必须保证10%～20%地电压裕量.
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