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微电子封装复习详细版 - 图文

来源:用户分享 时间:2025/6/6 15:09:42 本文由loading 分享 下载这篇文档手机版
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1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称:

DIP: 双列直插式封装 double in-line package QFP(J):四边引脚扁平封装 quad flat package PGA: 针栅阵列封装 pin grid array

PLCC: 塑料有引脚片式载体 plastic leaded chip carrier SOP(J):IC小外形封装 small outline package

SOT: 小外形晶体管封装 small outline transistor package SMC/D:表面安装元器件 surface mount component/device BGA: 焊球阵列封装 ball grid array CCGA:陶瓷焊柱阵列封装 Ceramic Column Grid Array KGD: 优质芯片(已知合格芯片)Known Good Die CSP: 芯片级封装 chip size package

WB: 引线键合 wire bonding TAB: 载带自动焊 tape automated bonding FCB: 倒装焊flip chip bonding OLB: 外引线焊接Outer Lead Bonding ILB: 内引线焊接

C4: 可控塌陷芯片连接Controlled Collapse Chip Connection

UBM: 凸点下金属化 Under Bump Metalization SMT: 表面贴装技术

THT: 通孔插装技术 Through Hole Technology COB: 板上芯片 COG: 玻璃上芯片 WLP: 晶圆片级封装Wafer Level Packaging C: 陶瓷封装 P: 塑料封装 T: 薄型 F: 窄节距 B: 带保护垫

2、微电子封装的分级:

零级封装:芯片的连接,即芯片互连级

一级封装:用封装外壳将芯片封装成单芯片组件和多芯片组件

二级封装:将一级封装和其他组件一同组装到印刷电路板(或其他基板)上

三级封装:将二级封装插装到母板上

3、微电子封装的功能:

1) 电源分配:保证电源分配恰当,减少不必要的电源消耗,注意接地线分配问题。

2) 信号分配:使信号延迟尽可能减小,使信号线与芯片的互连路径及通过封装的I/O引出的路径达到最短。

3) 散热通道:保证系统在使用温度要求的范围内能正常工作。

4) 机械支撑:为芯片和其他部件提供牢固可靠的机械支撑,能适应各种工作环境和条件的变化。

5) 环境保护:保护芯片不被周围环境的影响。

4、微电子封装技术中的主要工艺方法: (1)芯片粘接: (将IC芯片固定安装在基板上)

1) Au-Si合金共熔法 2) Pb-Sn合金片焊接法 3) 导电胶粘接法

4) 有机树脂基粘接法

(2)互连工艺:(主要三种是引线键合(WB)、载带自动焊(TAB)和倒装焊(FCB)) WB:主要的WB工艺方法;热压超声焊主要工艺参数、材料:

WB工艺方法:热压焊、超声焊和热压超声焊(也叫金丝球焊) 热压超声焊主要工艺参数:

1.热压焊的焊头形状----楔形,针形,锥形 2.焊接温度 150°左右

3.焊接压力---0.5到1.5N/点。4.超声波频率 材料:热压焊、金丝球焊主要选用金丝,

超声焊主要用铝丝和Si-Al丝, 还有少量Cu-Al丝和Cu-Si-Al丝等

TAB:内、外引线焊接主要工艺参数、载带的分类:

TAB内、外引线焊接主要工艺参数:焊接温度(T);焊接压力(P);焊接时间(t); 载带的分类:单层带、双层带、三层带和双金属带

FCB:工艺方法,各工艺方法的关键技术:

FCB工艺方法:

1、热压FCB法 2、再流FCB法

3、环氧树脂光固化FCB法 4、各向异性导电胶FCB法 各工艺方法的关键技术:

1.热压FCB法: 2.再流FCB法: 3.环氧树脂光固化FCB法: 4.各向异性导电胶FCB法:

高精度热压FCB机,调平芯片与基板平行度; 控制焊料量及再流焊的温度; 光敏树脂的收缩力及UV光固化; 避免横向导电短路 UV光固化。

(3)常用芯片凸点制作方法;电镀法制作芯片凸点有关计算:公式、公式中各参数的含义、单位、电镀时间的计算。

常用芯片凸点制作方法:

(1)蒸发/溅射法; (2)电镀法; (3)化学镀法; (4)打球法; (5)激光凸点法; (6)置球和模板印刷法; (7)移植凸点法; (8)叠层法; (9)柔性凸点法; (10)喷射法

电镀法制作芯片凸点有关计算:公式、公式中各参数的含义、单位、电镀时间的计算:根据对凸点高度的要求不同,电镀时间也不同。根据电解定律,镀层厚度δ为:

k

式中:Dk: 电流密度(A/dm2);

t: 电镀时间(h) η: 电流效率;

k: 电化当量(g/A.h);指在电镀过程中电极上通过单位电量时,电极反应形成产物之理论重量 d: 电镀金属密度(g/cm3)。

若δ用um作单位,则η的取值应去除百分号

??D?t???kd(4)芯片凸点的组成及各部分的作用。

1.Al膜: 2.粘附层金属: 3.阻挡层金属: 4.凸点金属:

作为芯片焊区

使Al膜和芯片钝化层粘附牢固

防止最上层的凸点金属与Al互扩散,生成金属间化合物 导电作用

(6)组装工艺: 波峰焊工艺: ①波峰焊工艺步骤;

装板→涂覆焊剂→预热→焊接→热风刀→冷却→卸板

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