END
STACKSIZE 0x100
上面的例子将堆栈区域存放的地址为0x20FF-0x2000,初始的堆栈指针指向栈顶地址0x20FF。
相反，如果在PLACEMENT-END部分没有声明“SSTACK INTO RAM”，则堆栈被分配在RAM区域中已分配空间的后面。请参见例6。 例6
SEGMENTS ……
RAM = READ_WRITE DATA_NEAR 0x2000 TO 0x3FFF;
?? END
PLACEMENT ??
PAGED_RAM, DEFAULT_RAM INTO RAM; ?? END
STACKSIZE 0x100
在这个例子中，如果RAM区域中已经分配的变量占用了4个字节（从
0x2000到0x2003），则堆栈放在这四个字节的后面，从0x2103到0x2004，初始的堆栈指针指向0x2103。
STACKYOP命令方式：
当使用STACKTOP命令方式时，如果在PLACEMENT-END部分声明了“SSTACK INTO RAM”，同样，堆栈区就被放在RAM区域的起始部分，初始的栈顶则由STACKTOP指定。若没有相应的声明，则初始的栈顶由STACKTOP指定，而堆栈的大小则根据处理器的不同由编译器自行设定，其大小足够装下处理器的PC寄存器的值
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http://blog.csdn.net/lyh4567169/archive/2010/04/27/5533761.aspx 举例分析“自举电路”如何增大电路的输入阻抗
举例分析“自举电路”如何增大电路的输入阻抗 在电路设计过程中，常常可以利用自举电容构成的自举电路来改善电路的一些性能指标，比如增大电路的输入阻抗、提高电路的增益以及扩大电路的动态范围等等，在这里，我举一个自举电路的例子来详细说明它是如何增大电路的输入阻抗的。 首先，show一个很普通的原理图如下，
在上图中，为了使得运放在静态时能够正常工作，必须得在同相输入端与地之间加上一定阻值的电阻。经过简单分析可知这里引入的是一个电压串联负反馈，熟悉运放工作原理的人一眼就可以看出这个电路的输入电阻为：
很显然，这样的输入电阻相对而言实在过小，图中放大电路因此从信号源索取的电流就会相应很大，信号源内阻的压降随之增大，信号电压损失自然也就越大。所以，我们得想办法把它的输入电阻给提高一下，这时，我们可以设置一个自举电路的形式来有效的解决这个问题，解决办法如下图所示：
仅仅多加入了一个电容器，这个电路的输入电阻就“今非昔比”了。利用瞬时极性法可以判断出，电路中除了通过R4接反向输入端引
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