VDS?VDD?ID(Rd?Re)VGS2) ID?IDSS(1?VGS(off)VGS?IDRs求得：ID?0.5mAVGS?10V
题1.3.9 总结各种类型FET的偏置条件：
（1） 说明场效应管处于可变电阻区，恒流区（放大区）和截止区的主要特征（指vDS、vGS
和iD）。
（2） 为保证工作于放大区，vDS和vGS的极性应如何设置？[在题表1.3.9（a）和题表1.3.9
（b）中打“√ ”]。
解：(1) 可变电阻区：场效应管的沟道尚未预夹断，VDS＜VGS-VGS(th)，ID随VDS增加而较
快增加。
恒流区：场效应管的导电沟道被预夹断，VDS＞VGS-VGS(th)，VGS＞VGS(th)，ID基本
不随VDS增加而增大。
截止区：场效应管的沟道被完全夹断，VGS＜VGS(th)，ID=0，VDS=VDD。
(注：指增强型NMOS管，其它类型只要注意电源极性，同样可以给出)
(2) 题表1.3.9(a) 题表1.3.9(b) VDS极性 VGS与VDS极性异同 耗尽型 结 型 相反 + N沟道 MOS 可同可反 - P沟道 MOS 增强型 相 同
题1.3.10 图题1.3.10（a）所示为N沟道场效应管在可变电阻区的输出特性。当要求将其作为压控电阻时，可接成图（b）所示的电路形式。若要求该电路得到1/3的分压比（VO/VI=1/3），应选择多大的VGG？
图题1.3.10
解： 因
VOVI?13，所以VO=VDS=0.5V，
ID=(1.5V-0.5V)/6K≈0.167mA，由VDS、ID可从特性曲线上求得VGG≈1.0V。
题1.3.11 图题1.3.11所示电路中，已知FET的IDSS=2mA，VP= -2V。 （1） 求ID=2mA时RS的取值范围； （2） 求RS=20kΩ时的ID值。
图题1.3.11
解： (1) 当考虑VDS=1V时，Rs=0～9.5kΩ
(2) ID≈1mA
题1.3.12 在图题1.3.12（a）所示的放大电路中，设输入信号vS的波形和幅值如图中所示，JET的特性如图题1.3.12（b）所示，试用图解法分析： （1） 静态工作点：VGSQ、IDQ、VDSQ；
（2） 在同一个坐标下，画出vS、iD和vDS的波形，并在波形图上标明它们的幅值。 （3） 若VGG改为-0.5V，其它条件不变，重画iD、vDS波形；
（4） 为使VGG= -0.5V时，iD、vDS波形不失真，重新选择Rd的数值和静态时的VDSQ。
图题1.3.12 解： (1) 图解分析如图1.3.12（a）所示。由图可得：
VGSQ=-1V、VDSQ=10V、IDQ=8mA。
(2) vs、iD和vDS的波形如图1.3.12（a）所示。
(3) 若VGG改为-0.5V，vs、iD和vDS的波形如图1.3.12（b）所示。显然iD和vDS的波形已经出现失真。
(4) 为使VGG= -0.5V时，iD、vDS波形不失真，可减小Rd以改变负载线的斜率，可取VDSQ＝10V，如图1.3.12（b）中的Q’所示。所以
Rd?20V?10V12mA?0.83 k?
图1.3.12（a）
图1.3.12（b）
题1.3.13 由P沟道结型场效应管组成的电路和它的漏极特性曲线示于图题1.3.13（a）、（b）中。在VI= -10V，R=10kΩ，Rd=5kΩ，VGG分别为0 V，1V，2V，3V时，求电路输出VO值各为多大？
图题1.3.13
解： 当VI= 10V，R=10kΩ，Rd=5kΩ时，场效应管工作在可变电阻区上。当VGS=0V、1V、2V、3V时，RDS分别为0.83k?、1k?、1.25k?、1.67k?。而输出电压为
VO?RDS?RdRDS?Rd?RVI
所以当VGS=0V、1V、2V、3V时，相应的输出电压分别为3.68V、3.75V、3.84V、4.0V。
题1.3.14 试用三只电容量足够大的电容器C1、C2、C3，将图题1.3.14所示放大电路分别组成CS、CD和CG组态，并在图中标明各偏置电源和电解电容上的极性，以及信号的输入、
输出端子。（在电源前加正、负号，在电解电容正极性端加正号。）
图题1.3.14 解：CS、CD、CG放大电路分别如图1.3.14所示。
图1.3.14
题1.3.15 设图题1.3.15所示电路中FET的IDSS =2mA，VP= - 4V，试计算标明在各电路中的电压或电流的大小。
图题1.3.15 解： 图(a)：ID≈1mA；
图(b)：VD≈11.16V。
题1.3.16 在图题1.3.16所示的FET基本放大电路中，设耗尽型FET的IDSS =2mA，VP= - 4V；增强型FET的VT=2V，IDO=2mA。 （1） 计算各电路的静态工作点；
（2） 画出交流通路并说明各放大电路的组态。
图题1.3.16
解： (1) 图(a)：IDQ≈0.5mA，VGSQ=-2V，VDSQ≈3.8V；
图(b)：IDQ≈0.76mA，VGSQ≈-1.5V，VDSQ≈8.5V； 图(c)：IDQ≈0.25mA，VGSQ=2.8V，VDSQ≈13V。 (2) 交流通路如图1.3.16所示。
图(a)为共源极放大电路(CS)； 图(b)为共漏极放大电路(CD)； 图(c)为共源极放大电路(CS)。
图1.3.16
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