微立方结构基底上生长碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性

微立方结构基底上生长碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性

麻华丽;张新月;霍海波;曾凡光;王淦平;向飞

【期刊名称】《功能材料》 【年(卷),期】2013(044)016

【摘要】采用酞菁铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二板结构对其强流脉冲发射特性进行了研究.研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强达到31.4 V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到14.74kA,对应的发射电流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定.

【总页数】4页(2406-2408,2415)

【关键词】强流脉冲发射;碳纳米管;微立方阵列;线性增加;稳定性 【作者】麻华丽;张新月;霍海波;曾凡光;王淦平;向飞

【作者单位】郑州航空工业管理学院数理系,河南郑州450015;郑州航空工业管理学院数理系,河南郑州450015;郑州航空工业管理学院数理系,河南郑州450015;郑州航空工业管理学院数理系,河南郑州450015;中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900;中国工程物理研究院应用电子学研究所,高功率微波技术重点实验室,四川绵阳621900 【正文语种】中文 【中图分类】TB383.1 【相关文献】