2016年大连理工大学805半导体物理考研大纲硕士研究生入学考试大纲

大连理工大学2016年硕士研究生入学考试大纲

科目代码：805 科目名称：半导体物理

试题分为简答题和分析题，其中简答题占33%，分析题（计算题、简单的推导、证明或画图题）占67%，具体复习大纲如下： 一、晶体结构

1、晶体结构的周期性和晶格的对称性. 2、布拉伐格子和倒格子. 3、常见半导体的晶体结构. 二、晶格振动和晶格缺陷

1、一维原子链和三维晶格中的原子振动. 2、玻恩/卡门边界条件和布里渊区. 3、晶格中的缺陷和杂质.

三、半导体中的电子状态 1、电子的运动状态和能带. 2、价带、导带、禁带和载流子. 3、杂质能级和杂质补偿效应. 四、半导体中载流子的统计分布 1、状态密度及费密分布函数. 2、导带电子密度和价带空穴密度.

3、本征半导体、杂质半导体和简并半导体. 五、半导体中的电导现象和霍耳效应 1、载流子散射.

2、电导现象和霍耳效应. 六、非平衡载流子

1、非平衡载流子的产生和复合. 2、连续性方程.

3、非平衡载流子的扩散与漂移. 七、半导体的接触现象

1、金属/半导体接触的整流现象. 2、pn结及其整流现象. 3、异质结. 八、半导体表面

1、表面态与表面空间电荷区. 2、表面场效应现象和MIS结构. 3、MOS的电容/电压特性.

参考书目：《半导体物理学》，编者：孟宪章、康昌鹤，吉林大学出版社或《半导体物理学讲义》(第六稿)，编者：胡礼中，大连理工大学教育书店出售