个机器周期以上高电平将使单片机复位。
ALE/PROG：当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE（地址所存允许）输出脉冲用于所存地址的低8位字节。即使不访问外部存储器，ALE仍以时钟振荡频率的1/6输出固定的正脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE脉冲。
对flash存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲（^PROG）。 如有不要，可通过对特殊功能寄存器（SFR）区中的8EH单元的D0位置位，可禁止ALE操作。该外置位后，只要一条MOVX和MOVC指令ALE才会被激活。此外，该引脚会被微弱拉高，单片机执行外部程序时，应设置ALE无效。
^PSEN：程序存储允许（^PSEN）输出是外部程序存储器的读选通信号，当at89s52由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两个^PSEN有效，即输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，这两次有效的^PSEN信号不出现。
EA/VPP:外部访问允许。欲使CPU仅访问外部程序存储器（地址为0000H---FFFFH），EA端必须保持低电平（接地）。需注意的是; 如果加密位LB1被编程，复位时内部会锁存EA端状态。
如 EA端为高电平（接VCC端），CPU则执行内部程序存储器中的指令。 Flash存储器编程时，该引脚加上+12V的编程允许电源VPP，当然这必须是该器件是使用12V编程电压VPP.
XTAL1: 振荡器反相放大器的及内部时钟发生器的输出端。 XTAL2: 振荡器反相放大器的输出端。 时钟振荡器：
at89s52中有一个用于构成内部振荡器的高增益反相放大器，引脚XTAL1和XTAL2分别是该放大器的输入端和输出端。这个放大器与作为反馈的片外石英晶体或陶瓷谐振器一起构成自激振荡器，振荡电路参见图5。
外接石英晶体（或陶瓷谐振器）及电容C1、C2接在放大器的反馈回路中构成并联振荡电路。对外接电容C1、C2虽然没有十分严格的要求，但电容容量的大小会轻微影响振荡频率的高低、振荡器的稳定性、起振的难易程度及温度稳定性，如果使用石英晶体，我们推荐电容使用30PF+10PF，而如使用陶瓷谐振器建议选择40PF+10PF。
用户也可以采用外部时钟。采用外部时钟的电路如图5右所示。这种情况下，外部时钟脉冲接到XTAL1端，即内部时钟发生器的输入端，XTAL2则悬空
由于外部时钟信号是通过一个2分频触发器后作为内部时钟信号的，所以对外部时钟信号的占空比没有特殊要求，但最小高电平持续时间和最大的低电平持续时间应符合产品技术要求。
空闲模式: 在空闲工作模式状态，CPU保持睡眠状态而所有片内的外设仍保持激活状态，这种方式由软件产生。此时，片内RAM和所有特殊功能寄存器的内容保持不变。空闲模式可由任何允许的中断请求或硬件复位终止。 终止空闲工作模式的方法有两种，其一是任何一条被允许中断的事件被激活，即可终止空闲工作模式。程序会首先响应中断，进入中断服务程序，执行完中断服务程序并仅随终端返回指令，下一条要执行的指令就是使单片机进入空闲模式那条指令后面的一条指令。其二是通过硬件复位也可将空闲工作模式终止，需要注意的是，当由硬件复位来终止空闲模式时，CPU通常是从激活空闲模式那条指令的下一条指令开始继续执行程序的，要完成内部复位操作，硬件复位脉冲要保持两个机器周期（24个时钟周期）有效，在这种情况下，内部禁止CPU访问片内RAM，而允许访问其它端口。为了避免可能对端口产生以外写入，激活空闲模式的那条指令后一条指令不应该是一条对端口或外部存储器的写入指令。 空闲和掉电模式外部引脚状态 模式 空闲模式 空闲模式 掉电模式 掉电模式 掉电模式:
在掉电模式下，震荡器停止工作，进入掉电模式的指令是最后一条被执行的指令，片内RAM和特殊功能寄存器的内容在终止掉电模式前被冻结。退出掉电模式的唯一方法是硬件复位，复位后将重新定义全部特殊功能寄存器但不改变RAM
程序存储器 内部 外部 内部 外部 ALE ^PSEN PORT0 PORT1 PORT2 PORT3 1 1 0 0 1 1 0 0 数据 数据 数据 数据 浮空 数据 数据 数据 数据 数据 数据 数据 浮空 数据 数据 数据 中的内容，在VCC恢复到正常工作电平前，复位应无效，且必须保持一定时间以使振荡器重启动并稳定工作。 程序存储器的加密 ： AT89S52可使用对芯片上的3个加密位进行编程（P）或不编程（U）来得到如下表所示的功能： 加密位保护功能表 程序加密位 LB1 1 2 3 4 U P P P LB2 U U P P LB3 U U U P 没有程序保护功能 禁止从外部程序存储器中执行MOVC指令读取内部程序存储器的内容 除上表功能外，还禁止程序校验 除以上功能外，同时禁止外部执行 保护类型 当加密位LB1被编程时，在复位期间，EA端的逻辑电平被采样并锁存，如果单片机上电后一直没有复位，则锁存起的初始值是一个随机数，且这个随机数会一直保持到真正复位为止。为使单片机能正常工作，被锁存的EA电平值必须与该引脚当前的逻辑电平一致。此外，加密位只能通过整片擦除的方法清除。 FLASH闪速存储器的编程：
at89s52单片机内部有4K字节的FLASH PEROM,这个FLASH存储阵列出厂时已处于擦除状态（即所有存储单元的内容均为FFH），用户随时可对其进行编程。编程接口可接收高电平（+12V）或低电平（VCC）的允许编程信号，低电平编程模式适合于用户再线编程系统，而高电平编程模式可与通用EPROM编程器兼容。
AT89S52单片机中，有些属于低电压编程方式，而有些则是高电平编程方式，用户可从芯片上的型号和读取芯片内的签名字节获得该信息，见下表。
芯片顶面标识 签名字节 Vpp=12v at89s52 xxxx yyww (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=FFH Vpp=5v at89s52 xxxx-5 yyww (030H)=1EH (031H)=51H (032H)=05H AT89S52的程序存储器阵列是采用字节写入方式编程的，每次写入一个字节，要对整个芯片内的PEROM程序存储器写入一个非空字节，必须使用片擦除的方式将整个存储器的内容清除。 编程方法：
编程前，需按表1、图3和图4所示设置好地址，数据及控制信号， at89s52编程方法如下：
1． 在地址线上加上要编程单元的地址信号。 2． 在数据线上加上要写入的数据字节。 3． 激活相应的控制信号。
4． 在高电压编程方式时，将^EA/VPP端加上+12V编程电压。 5． 每对FLASH存储阵列写入一个字节或每写入一个程序加密位，加上一个ALE/^PROG编程脉冲，改变编程单元的地址和写入的数据，重复1—5步骤，直到全部文件编程结束。每个字节写入周期是自身定时地，通常约为1.5ms。
数据查询：at89s52单片机用数据查询方式来检测一个写周期是否结束，在一个写周期中，如需要读取最后写入的那个字节，则读出的数据的最高位（P0.7）是原来写入字节最高位的反码。写周期完成后，有效的数据就会出现在所有输出端上，此时，可进入下一个字节的写周期，写周期开始后，可在任意时刻进行数据查询。
READY/^BUSY：字节编程的进度可通过“RDY/^BSY”输出信号监测，编程期间，ALE变为高电平“H”后P3.4(RDY/^BSY)端电平被拉低，表示正在编程状态（忙状态）。编程完成后，P3.4变为高电平表示准备就绪状态。 程序校验：如果加密位LB1、LB2没有进行编程，则代码数据可通过地址和数据线读回原编写的数据。加密位不可能直接变化。证实加密位的完成通过观察它们的特点和能力。
芯片擦除：利用控制信号的正确组合（表1）并保持ALE/^PROG引脚10ms
的低电平脉冲宽度即可将PEROM阵列（4k字节）整片擦除，代码阵列在擦除操作中将任何非空单元写入“1”，这步骤需要再编程之前进行。
读片内签名字节：at89s52单片机内有3个签名字节，地址为030H、031H和032H。用于声明该器件的厂商、型号和编程电压。读签名字节的过程和单元030H、031H和032H的正常校验相仿，只需将P3.6和P3.7保持低电平，返回值意义如下：
（030H）=1EH声明产品由ATMEL公司制造。 （031H）=51H声明为at89s52单片机。 （032H）=FFH声明为12V编程电压。 （032H）=05H声明为5V编程电压。
编程接口：采用控制信号的正确组合可对FLASH闪速存储阵列中的每一代码字节进行写入和存储器的整片擦除，写操作周期是自身定时的，初始化后它将自动定时到操作完成。
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