为发射结电导，与晶体管的电流放大系数及
有关，其关系为:
为基极体电阻，一般为几十欧姆；
为集电极电容，一般为几皮法；
为发射结电容，一般为几十皮法至几百皮法。
图（b）
晶体管在高频情况下的分布参数除了与静态工作点的电流数有关外，还与工作角频率w有关。
图（b）所示的等效电路中，p1为晶体管的集电极接入系数，即
，电流放大系
在该式中，N2为电感L线圈的总匝数；p2为输出变压器Y的副边与原边匝数比，即
（N3为副边总匝数）
为谐振放大器输出负载的电导，
。通常小信号谐振放大器的
。
下一级仍为晶体管谐振放大器，则将是下一级晶体管的输入电导
的表达式为：
由图（b）可见，并联谐振回路的总电导
（
为LC回路本身的损耗电导)
2．主要性能指标及测量方法：
表征高频小信号谐振放大器的主要性能指标有谐振频率
，谐振电压放
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大系数Avo，放大器的通频带BW及选择性（通常用矩形系数Kr0.1），采用（b）所示电路可以粗略测各项指标。
图（b）
输入信号输入信号
由高频小信号发生器提供，高频电压表
，
分别用于测量
与输出信号的值。直流毫安表用于测量放大器的集电极电流两端输出波形。谐振放大器的性能指标及测量方法如
的值，示波器监测负载下： 1．）谐振频率：
放大器的谐振回路谐振时所对应的频率称为谐振频率。的表达式为：
在上式中，L为谐振放大器电路的电感线圈的电感量；的表达式为：
（
电容） 其中，谐振频率
的测试步骤：首先使高频信号发生器的输出频率为
，输出
为晶体管的输出电容；
为晶体管的输入为谐路的总电容，
电压为几毫伏；然后调谐集电极回路即改变电容C或电感L使回路谐振。LC并联谐振时，直流毫安表的指示为最小（当放大器工作在丙类状态时），电压表指示值达到最大，且输出波形无明显失真。这时回路谐振频率就等于信号发生器的输出频率。 2.）电压增益：
放大器的谐振回路所对应的电压放大倍数Avo称为谐振放大器的电压增益.Avo的表达式为：
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的测量电路如图（b）所示，测量条件是放大器的谐振回路处于
计算公式如下：
3.）通频带：
由于谐振回路的选频作用，当工作频率偏离谐振频率时，放大器的电压放大倍数下降，习惯上称电压放大倍数Av下降到谐振电压放大倍数时所对应的频率范围称为放大器的通频带BW，其表达式为：
（
分析表明，放大器的谐振电压放大倍数
为谐振放大器的有载品质因数） 与通频带BW的关系为：
的0.707倍
谐振状态。
上式说明，当晶体管数
确定，且回路总电容
为定值时，谐振电压放大倍
与通频带BW的乘积为一常数。
通频带的测量电路如图（b）所示。可通过测量放大器的频率特性曲线来求
通频带。采用逐点法的测量方法测量通频带，其步骤是：先使调谐放大器的谐振回路产生谐振，记下此时的
与
，然后改变高频信号发生器的频率（保持
Vs不变），并测出对应的电压放大倍数Av，由于回路失谐后电压放大倍数下降，所以放大器的频率特性曲线如图（c）所示：
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图（c）
由BW得表达式可知：
通频带越宽的电压放大倍数越小。要想得到一定宽度的通频带，同时又能提高放大器的电压增益，由式可知，除了选用调谐回路的总电容量。
4.）矩形系数：
谐振放大器的选择性可用谐振曲线的矩形系数Kr0.1来表示，如图（c）所示，矩形系数Kr0.1为电压放大倍数下降到0.1Avo时对应的频率范围与电压放大倍数下降到0.707
时对应的频率偏移之比，即
较大的晶体管外，还应尽量减少
上式表明，矩形系数Kr0.1越接近1，临近波道的选择性越好，滤除干扰信号的能力越强。
3电路的设计与参数计算： 1.) 电路的确定:
电路形式如图(d)所示:
图 (d)
2.)参数计算:（其中已知参数要求与晶体管3DJ6参数）
(1) 设置静态工作点:
取 IEQ=1mA, VEQ=1.5V, VCEQ=7.5V, 则
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