RE?VEQIEQ?1.5K?
RB2?VBQ6IBQ?VBQ??6ICQ?18.3K? , 取标称值18KΩ
RB1?VCC?VBQVBQRB2?55.6K?
RB1可用30kΩ电阻和100kΩ电位器串联,以便调整静态工作点。
(2) 计算谐振回路参数: {gb?e}mS??{IE}mA?0.77mS
26?mV {gm}mS?{IE}mA?38mS 26mV 下面计算4个y参数， yie?gb?e?j?Cb?e?0.96mS?j1.5mS
1?rb?b(gb?e?j?Cb?e) 因为yie?gie?j?Cie, 所以 gie?0.96mS，rie?11.5mS?1k?，Cie??2.2pF gie? yoe?j?Cb?crb?bgm?j?Cb?c?0.06mS?j0.5mS
1?rb?b(gb?e?j?Cb?e) 因为yoe?goe?j?Coe，所以 goe?0.06mS，Coe? yfe?0.5mS??7pF
gm?37mS?j4.1mS
1?rb?b(gb?e?j?Cb?e) 故模 |yfe|?372?4.12mS?37mS 回路总电容为
C??1?52.2pF 2(2?f0)L22 再计算回路电容为：C?C??p1Coe?p2Cie?53.3pF，取标称值51pF
17
输出耦合变压器Tr0的原边抽头匝数N1及副边匝数N3,即 N1?p1N2?5匝，N3?p2N2?5匝 (3) 确定输入耦合回路及高频滤波电容:
高频小信号谐振放大器的输入耦合回路通常是指变压器耦合的谐振回路。由于输入变压器Tri原边谐振回路与放大器谐振回路的谐振频率相等，也可以直接采用电容耦合，高频耦合电容一般选择瓷片电容。
电路的仿真与调试
(1)利用Multisim绘制出如图(e)所示的仿真实验电路:
图(e)仿真电路
(2) 按图设置各元件的参数，打开仿真开关，从示波器上两个通道观察输出波形以及与输入信号的关系。如(f)图所示。
18
图(f)输出波形
⑴在无信号输入，仅有直流激励的情况下用电流表测量三极管发射极极电流，测得IEQ约为1mA。
⑵接入信号发生器，观察示波器输入输出波形，按照设计要求调节中周。利用仪器测得各指标如下：
f0=10MHz Ａvo＝34dB
仿真数据分析：在误差允许范围里，仿真测量所得数据与理论值相等。
电路的安装与测试
将上述设计的元器件参数进行安装,先调整放大器的静态工作点，然后再调
谐振回路使其谐振。
调整静态工作点的方法是:不加输入信号（Vi=0），将C1的左端接地，将谐
振回路的电容C开路，这时用万用表测量电阻Re两端的电压，调整电阻Rb1使Veq=1.5V(Ie=1mA)。记下此时电路的Rb1值及静态工作点Vbq、Vceq、Veq、及Ieq。
调谐振回路使其谐振的方法是:在测试电路接入高频电压表V1、V2，直流毫
安表及示波器。再将信号发生器的输出频率置于fi=10MHZ，输出电压Vi=5mV。为避免谐振回路失谐引起的高反向电压损坏晶体管，可先将电源电压+Vcc降低，如使+Vcc=+6V。调输出耦合变压器的磁芯使回路谐振，即电压表V2的指示值达到最大，毫安表为最小且输出波形无明显失真。回路处于谐振状态后，再将电源电压恢复至+12V。 实验数据： f0=9.7MHz
Ａvo＝28dB
数据分析：在误差允许范围内，中心频率的理论值与实际值一致，在放大器处
于谐振状态下，电压放大倍数Avo放大倍数与理论值有一定的差距，导致误差的原因有如下几点：
（1）实物的实际值与理论值有一定的差距。
（2）由于分布参数的影响，晶体管的分布参数一般都是在测试条件一定 的情况下
19
测得的。且分布参数还与静态工作电流及电流放大系数有关。放大器的各项技术指标满足设计要求后的元器件参数值与设计计算值有一定的偏离。 （3）性能指标参数的测量方法存在一定的误差。
（4）实验仪器设备的老化等也会导致电路调试过程中出现一定的误差。
（5）由于工作频率较高，高频小信号放大器容易受到外界各种信号的干扰，特别是
射频干扰。通常采取的措施是把放大器装入金属屏蔽盒内（屏蔽盒与地线应接触良好）。但电路调试环境条件有限。
二 高频谐振功率放大电路的仿真分析
甲类前置放大电路
高频甲类前置放大器一般用于高频信号电压放大,此类放大器应具备如下基本特性:只允许所需的信号通过,即应具有较高的选择性。放大器的增益要足够大。放大器工作状态应稳定且产生的噪声要小。放大器应具有一定的通频带宽度。
1静态工作点设置
由于本模块的输出功率与丙类高频放大器的输入功率相等，输出负载等于丙类功放的输入负载，即P，ROUT?86?。 OUT?Pi?0.01w由于放大器是工作在小信号放大状态，放大器工作电流ICQ一般在0.8－2mA之间选取为宜，设计电路中取Ic?2mA，设R6?1K?。
因为：VEQ?IEQR6 而ICQ?IEQ 所以：VEQ?2mA?1K??2V 因为：VBQ?VEQ?VBEQ(硅管的发射结电压VBEQ为0.7V) 所以：VBQ?2V?0.7V?2.7V
因为：VCEQ?VCC?VEQ 所以：VCEQ?12V?2.7V?9.3V
因为：R4?VBQ/(5?10)IBQ 而IBQ?ICQ/??2mA/50?0.04mA 取10IBQ 则：R4?VBQ/10IBQ?2.7V/0.4?6.75K? 取标称电阻6.8K? 因为：R3?[(VCC?VBQ)/VBQ]R4
则：R3?[(12V?2.7V)/2.7V]?6.8K??23.4K?，取标称电阻22K?
20
相关推荐：
loading