HMC和TSV 未来存储芯片详细看
张平;
【期刊名称】《微型计算机》 【年(卷),期】2013(000)018
【摘要】NVIDIA在2013年的GTC大会上展示了下下代产品Volta的部分资料，最惹人注目的就是其采用的StackedDRAM堆栈式显存技术。这种新的内存模式将GPU~13显存封装在一起，完全超出了多数用户的想象。究竟什么是堆栈式显存？它的技术原理是怎样的？事实上，它源自三星、IBM、镁光、ARM等公司组建的HybridMemoryCube。已经发布的HMC1．0规范明确指出未来存储芯片发展的方向将是3D堆栈式发展。今天我们就一起来了解HMC的架构设计和HMC应用的TSV工艺的相关内容。 【总页数】7页(P.125-131)
【关键词】存储芯片;TSV;NVIDIA;堆栈式;内存模式;架构设计;GTC;显存 【作者】张平; 【作者单位】不详; 【正文语种】英文 【中图分类】TP333 【相关文献】
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