tRCD（RAS to CAS Delay）：行地址到列地址的延迟时间，这是激活行地址选通和开始读列地址选通之间的时钟周期延迟。JEDEC规范中，它是排在第二的参
数，降低此延时，可以提高系统性能，如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。参数范围4-15T。
tRP（Row precharge Delay）：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址所需的时钟周期（比如从一个Bank转换到下一个Bank）。预
充电参数小可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。
但是该参数的大小取决于内存颗粒的体质，参数小将获取最高的性能，但可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作，从而导致
系统不稳定。参数值大将提高系统的稳定。参数范围4-15T。JEDEC规范中，它是排在第三的参数。
tRAS(Row active Strobe)：行地址选通。这是预充电和行数据存取之间的预充电延迟时间。也就是“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。参数范围10-40T。JEDEC规范
中，它是排在第四的参数。
tRFC（Refresh Cycle Time）：刷新周期时间，这个参数表示自动刷新“行”周期时间，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的
另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。参数范围48-200T。
tWR（Timing of Write Recovery）：写恢复时间。这是一个有效的“写”动作和bank预充电到数据能正确写入之间的时间。就是说在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低
的tWR虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。参数范围5-32T。
tWTR（Write to Read Delay）：写到读延时。这个参数表示在同一内存Bank区写命令和下一个读命令之间的延迟时间。也就是在同一个单元中，最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。tWTR值偏高，降低了读性能，但提高了系统稳定性。偏低则提高读写性能，但系统会不稳定。参数范围
4-15T。
tRRD（RAS to RAS Delay）：行选通到行选通延迟，也称为Row to Row delay。这是表示“行单元到行单元的延时”。该值也表示在同一个内存模组连续的行选通动作或者预充电行数据命令的最小延迟时间。tRRD值越小延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，
太短的延迟会引起连续数据膨胀。如果出现系统不稳定的情况，需将此值设定较高的时钟参数。参数范围4-15T。
tRTP（DRAM READ to PRE Time）：内部读取到预充电命令时间。这个参数实际上就是读命令和预充电明令之间的时间间隔。如果参数值过小，系统运行很快，
但不稳定。参数范围4-5T。
tFAW（Four Activate Window）：FAW是Four Bank Activate Window的缩写，4个Bank激活窗口。这个参数就是4个Bank激活窗口的延迟。通常在8-bank
设备中滚动tFAW窗口不要超过4bank。参数范围4-63T。
tWCL（Write CAS# Latency）：写CAS#延迟。SDRAM内存是随机访问的，这意味着内存控制器可以把数据写入任意的物理地址，大多数情况下，数据通常写入距离当前列地址最近的页面。tWCL表示写入的延迟，除了DDRII，一般可以设为1T，这个参数和大家熟悉的tCL（CAS-Latency）是相对的，tCL表示读的延迟。
该参数主要影响稳定性。参数范围5-15T。
高级时序配置
tRRDR：Read-Read Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，读取不同RANK的延迟。参数范围1-6T。
tRRDD：Read-Read Different Rank。这个参数的含义是读取不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。
tWWDR：Write-Write Different Rank，same DIMM。这个参数的含义是在同一个DIMM（就是同一条内存）内，写不同RANK的延迟。参数范围1-6T。
tWWDD：Write-Write Different Rank。这个参数的含义是写不同RANK的延迟（包括了所有DIMM）。参数范围1-6T。
tRWDRDD：Read-Write Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上读-写不同的RANK的延迟。参数范围1-6T。
tWRDRDD：Write-Read Different Ranks same or Different DIMM。这个参数的含义是在同一内存条或不同内存条上写-读不同的RANK的延迟。参数范围1-6T。
tRWSR：Read-Write Same Rank。这个参数的含义是读-写同一个RANK的延迟。参数范围1-6T。
2-3-4-2、UnLink（各通道单独调）的Advanced DRAM Configuration（高级DRAM配置）
每个通道的时序配置与前面的双通道联调是一样的，请参看。
2-4、集显频率设置
安装整合集显的处理器，就会出现这2项集显的超频设置。
2-4-1、GT Over Clocking（集显超频）
这是设置集显是否超频，设置项有Enabled/Disabled，默认是Disabled（关闭）。
开启这项设置，下面就出现集显的倍频设置。
2-4-2、GT Ratio（集显倍频）
调整集显的倍频。
2-5、辅助超频设置
2-5-1、Spread Spectrum（扩展频谱）
也称展频技术。设置项有Enabled/Disabled，默认是Disabled（关闭）。
当主板上的时钟发生器工作时，脉冲的峰值会产生电磁干扰（EMI），展频技术可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰。在没有遇到电磁干扰问题时，可以设为Disabled（关闭），这样可以优化系统性能，提高系统稳定性；如果遇到电磁干扰问题，则应将该项设为Enabled（开启）以便减少电磁干扰。一般在超频时，最好将该项设置为Disabled，因为即使是微小的峰值飘移也会引起时钟的短暂突发，这样会导致超频后的处理器被锁死。 2-5-2、Vdroop Control（电压降控制）
这是控制超频满载时出现电压降的控制选项。设置项有Auto和Level0-Level7等七个级别，默认为Auto。Level0-Level7，级别越高控制电压降的强度越大。如果感觉超频后，CPU满负荷时电压下降较大，可以设置为高级别的VDroop Control。 2-5-3、Digital Compensation Level（数字补偿）
数字控制的供电电流补偿。设置项有Auto和High。一般情况下设置为Auto即可。在玩超频时可以设置为High，增强电流补偿，保证CPU获得稳定的电流。 2-5-4、CPU Core OCP Expander（CPU核心过电流保护扩展）
为保护CPU，BIOS对CPU核心的电流都有限制，防止电流过大烧毁CPU。这个选项是扩展保护电流的限制值，开启这项设置有利于提高CPU的极限超频能力，但是也增大烧毁CPU的风险。开启这个设置后，CPU加电压要特别小心。设置项有Auto/1.5x/2x。默认是Auto。 2-5-5、CPU Core Engine Speed（CPU核心引擎速度）
这个选项是可以增加CPU供电MOS的开关频率，以便为CPU提供更稳定，更清洁的电流。MOS的开关速度增加也带来MOS的温度上升，容易烧MOS。所以开启这项设置，需要加强MOS的散热。设置项有Default（默认）/Enhanced（增强），默认是Default（默认）。
2-6、电压设置
2-6-1、CPU Core Voltage（CPU核心电压）
这里是调整CPU核心电压。设置项有Auto和电压0.800—1.800V的选项。敲回车从弹出的列表中选择。默认是Auto。调整核心电压要小心。强烈建议不要超
过1.400V。
2-6-2、CPU I/O Voltage（CPU I/O电压）
这里是调整CPU I/O电压。设置项有Auto和电压0.95—1.95V的选项，默认是Auto。调整IO电压要小心。建议不要超过1.400V。
2-6-3、DRAM Voltage（内存电压）
调整内存的电压，设置值有Auto，1.108-2.464V，默认是Auto。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-4、GPU Voltage（GPU电压）
调整GPU电压，设置项有Auto，1.00-1.520V，建议不要超过1.400V。
2-6-5、System Agent Voltage（SA）（系统辅助电压）
这个电压就是整合在CPU里面的内存控制器（NB）的电压。设置项有Auto和电压0.85—1.51V的选项，默认是Auto。调整SA电压要小心。建议不要超过1.400V。
一般保持默认就可以。
2-6-6、CPU PLL Voltage（CPU PLL 电压）
这是CPU的时钟信号电压。设置项有Auto和电压1.40V—2.43V的选项，默认是Auto。调整CPU PLL电压要小心，建议不要超过1.98V。一般保持默认就可以。
2-6-7、DDR_VREF_CA_A?..B（内存通道A/B电压）
调整内存A/B通道的电压，设置值有Auto，0.435-1.125V，默认是Auto。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-8、DDR_VREF_DA_A?..B（内存通道C/D电压）
调整内存A/B通道的电压，设置值有Auto，10.435-1.125V，默认是Auto。超内存电压要小心，DDR3内存一般不要超过1.65V。
2-6-9、PCH 1.5 Voltage （X79芯片1.5V电压）
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