具有通道效应的掺杂物分布
具有通道效应的掺杂物分布
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通道效应最小化方法
?晶圆倾斜
–在倾斜的晶圆上进行离子注入，角度通常为7°
–可能会因光刻胶而产生阴影效应，可以通过晶圆转动和注入后退火过程的小量掺杂物扩散解决–如果倾斜角度太小，掺杂物浓度可能会因为通道效应形成双峰分布
?屏蔽氧化层
–穿过一层非晶态二氧化硅薄膜进行注入
–注入离子与硅、氧原子碰撞散射，进入硅晶体的角度分布在较广的范围
?预非晶态注入
–高电流的硅或锗离子注入破坏单晶结构，在晶圆表面附近产生非晶态层–可以完全消除通道效应
–增加了额外的离子注入步骤，需要热退火恢复其引起的晶体损伤
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阴影效应和扩散处理
阴影效应和扩散处理
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碰撞后的通道效应
碰撞后的通道效应
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