2008年下学期2007级《大学物理（下）》期末考试（A卷）
一、选择题(共27分) 1. (本题3分) (2717)
距一根载有电流为3×104 A的电线1 m处的磁感强度的大小为 (A) 3×10-5 T． (B) 6×10-3 T． (C) 1.9×10-2T． (D) 0.6 T．
(已知真空的磁导率?0 =4?×10-7 T·m/A) ［ ］ 2. (本题3分)(2391)
?? 一电子以速度v垂直地进入磁感强度为B的均匀磁场中，此电子在磁场中运动
轨道所围的面积内的磁通量将 (A) 正比于B，反比于v2． (B) 反比于B，正比于v2．
(C) 正比于B，反比于v． (D) 反比于B，反比于v．
［ ］ 3. (本题3分)(2594)
有一矩形线圈AOCD，通以如图示方向的电流I，将它置于均匀磁场B中，B的方向与x轴正方向一致，线圈平面与x轴之间的夹角为?，? < 90°．若AO边在y轴上，且线圈可绕y轴自由转动，则线圈将
(A) 转动使??角减小． (B) 转动使?角增大． (C) 不会发生转动．
(D) 如何转动尚不能判定． ［ ］ 4. (本题3分)(2314)
如图所示，M、N为水平面内两根平行金属导轨，ab与cd为垂直于导轨并可
??在其上自由滑动的两根直裸导线．外磁场垂直水平面向上．当外力使ab向右平移时，cd (A) 不动． (B) 转动． (C) 向左移动． (D) 向右移动．［ ］ 5. (本题3分)(2125)
?? 如图，长度为l的直导线ab在均匀磁场B中以速度v移动，直导线ab中的电
动势为 (A) Blv． (B) Blv sin?． (C) Blv cos?． (D) 0． ［ ］ 6. (本题3分)(2421)
已知一螺绕环的自感系数为L．若将该螺绕环锯成两个半环式的螺线管，则两个半环螺线管的自感系数
11122211 (C) 都大于L． (D) 都小于L． ［ ］
22 (A) 都等于L． (B) 有一个大于L，另一个小于L．
7. (本题3分)(3174)
在双缝干涉实验中，屏幕E上的P点处是明条纹．若将缝S2盖住，并在S1 S2连线的垂直平分面处放一高折射率介质反射面M，如图所示，则此时 (A) P点处仍为明条纹．
(B) P点处为暗条纹． (C) 不能确定P点处是明条纹还是暗条纹． (D) 无干涉条纹． ［ ］ 8. (本题3分)(3718)
在单缝夫琅禾费衍射实验中，若增大缝宽，其他条件不变，则中央明条纹
(A) 宽度变小． (B) 宽度变大． (C) 宽度不变，且中心强度也不变．
(D) 宽度不变，但中心强度增大． ［ ］
9. (本题3分)(3215)
若用衍射光栅准确测定一单色可见光的波长，在下列各种光栅常数的光栅中选用哪一种最好？
(A) 5.0×10 mm． (B) 1.0×10 mm．
(C) 1.0×10-2 mm． (D) 1.0×10-3 mm． ［ ］ 10. (本题3分)(4223)
下述说法中，正确的是 (A) 本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好．
(B) n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导电．
(C) n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能． (D) p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动． ［ ］ 二、填空题（共27分） 11 (本题3分)(5125)
一根无限长直导线通有电流I，在P点处被弯成了一个半径为R的圆，且P点处无交叉和接触，则圆心O处的磁感强度
大小为_______________________________________，方向为 ______________________________． 12. (本题3分)(5134)
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