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高频时：
23.定性阐述MOSFET的基本工作原理。 答：
对于较小的ＶＤＳ，当ＶＧＳ＜ＶＴ时，漏电流为零。当ＶＧＳ＞ＶＴ时，反型层的厚度会定性的表明相对电荷密度，这时的相对电荷密度在沟道长度方向上为一常数，相应的特征曲线如左上角图所示。随着漏电压的增大，漏端附近的反型层电荷密度也将减小，漏端的沟道
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电导减小，ID-VDS特性曲线的斜率也将减小，如右上角图所示。当ＶＤＳ增大到漏端的氧化层压降等于ＶＴ时，漏端的反型层电荷密度为零，此时漏端的电导为零，即ID-VDS特性曲线的斜率也为零，如左下角图所示。当ＶＤＳ继续增大，使其大于ＶＤＳ（sat）时，沟道中的反型电荷为零的点移向源端。这时，电子从源端进入沟道，通过沟道流向漏端。在电荷为零的点处，电子被注入空间电荷区，并被电场扫向漏端。如果假设沟道长度的变化△L相对于初始沟道长度L而言很小，那么ＶＤＳ＞ＶＤＳ（sat）时漏电流为一常数，如右下角图所示。 24.衬底加偏置电压会对器件工作造成怎样的影响？
答： 当在衬底加偏置电压时，氧化层下面的空间电荷区宽度将从初始值XdT开始增加，对于n沟道MOSFET，当有VSB>0时，将会有更多的电荷与此区有关。考虑到MOS电中性的条件，金属栅上的正电荷必须增多，以补偿负空间电荷的增多，从而达到阈值反型点。对于p沟道MOSFET有同样的效果，所以当衬底加偏置电压时，会使MOSFET的阈值电压增加（p沟道为阈值电压绝对值增大）。
25.什么是MOSFET的亚阈特性？对电路工作有何影响？
答：①MOSFET的亚阈特性就是指在|VGS|≦VT时，漏源电流ID并不为零，也就是晶体管不能准确进入关断状态。
②如果MOSFET被偏置在等于或稍低于阈值电压时，漏电流并不为零。在含有数以百万计的大规模集成电路中，亚阈值电流可以造成很大的功耗。 26.为什么通常情况下反型层中载流子的迁移率不是常数？
答：一是由于迁移率随栅压会发生改变；二是随着载流子接近饱和速度这个极限，有效载流子迁移率将减小。这两个原因导致反型层中的载流子的迁移率不会是常数。 27.什么是速度饱和现象？它对MOSFET的I-V特性有何影响？
答：①在增大电场时，载流子的漂移速度不会无限地增大，当电场强度达到一定程度时，载流子的速度会出现饱和，这种现象叫做速度饱和现象。
②由于垂直电场与表面散射的影响，饱和速度会随着所见栅压而减小一些。速度饱和会导致ID(sat)和VDS(sat)的值比理想关系中的小些。ID(sat)大约是VGS的线性函数，而不是理想的平方律关系。
28.什么是MOSFET的恒定电场(CE)缩小规则？它的应用限制是什么？
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答：①MOSFET的恒定电场（ＣＥ）缩小规则是指器件尺寸和电压等比例地缩小，而电场（水平和垂直）保持不变，让器件内的电场的分布和强度与长沟道MOSFET的相同，减短了沟道长度而又保持了原来的长沟道特性。
②对于亚阈工作的MOSFET，ＣＥ缩小规则将使电流密度增大ａ倍，而栅电压大于ＶＴ时的总电流却减小ａ倍，导致器件的开关特效变坏，此外，电源电压也不能按ＣＥ规则减小。
对亚阈工作的数字电路，不宜采用CE缩小规则。
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