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1．AME8330 为多片式刻蚀系统，阳极为钟罩，阴极为六面体电极，共
有18个硅片基座，LOADLOCK 可储存硅片，自动装片系统。终点控制模式。刻蚀和去胶在同一腔体，可以有效的消除AL 的后腐蚀。
2．P5000-METAL 为单片式刻蚀系统，有一个28位的硅片储存室，可以一次将所有圆片传入室内，等待刻蚀。两个PROCESS CHAMBER，一个STRIP CHAMBER。
三、POLY ETCH
主要设备有P5K-POLY，T1611 主要腐蚀气体为CL2，HBR，HCL等。 POLY ETCH PROCESS：
STEP1-BREAKTHROUGH STEP（OPTIONAL）
STEP2-MAIN ETCH STEP （OPTICAL EMISSION ENDPOINT） STEP3-OVER ETCH STEP POLY 腐蚀工艺中需注意的是：
1． POST-ETCH SIDEWALL 2． STRINGERS 3． MICROLOADING 4． UNIFORMITY
5． PROFILE/CD CONTROL 6． SELECTIVITY TO OXIDE 7． POLYSi：PR SELECTIVITY
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CF4 主要用于STEP1 ，以去除POLY 表面的一层自然氧化层，有时在POLY 光刻之前如有一步HF DIP，STEP1 可以不做。
CL2 是主要腐蚀气体；HBr可以形成POLYMER 保护侧壁，提高对PR 的选择比；加入He-O2 可以提高对OXIDE 的选择比。
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第五章 干法腐蚀工艺中的终点检测
早期的监控方法是计时法：假定被腐蚀材料的膜厚已知，先通过实验确定腐蚀速率，然后在工艺过程中，由计时确定终点，单由于影响腐蚀速率的因素很多（如压力，温度，流量，气体比例等），腐蚀速率难于重复，用定时的方法不能满足工艺要求。
用观察腐蚀过程中腐蚀层干涉颜色的变化来确定终点，其方法虽然简单，但它要求操作者能够识别不同复合层的图形颜色，而且需要有充分的暴露面积以供腐蚀过程中用肉眼观察，因而不适应大生产。
采用终点控制可以较精确的控制腐蚀时间，屏蔽因为腐蚀速率的差异造成的时间误差，充分实现腐蚀设备的自动化。目前主要有发射光谱法、光学反射法、质谱法、探针法、阻抗监视法等。总之，凡是在腐蚀终点能够发生明显变化的参量都可以作为终点检测的信号，形成相应的终点检测方法。
现在我们常用的是光谱法。其物理理论是每一种物质受到能量激发，都会发出其特定的波长。硅片在被腐蚀的时候，腔体内维持一个稳定的反应气氛，所探测的物质波长发射密度基本不变，当硅片快要腐蚀结束时（即到达终点位置），密度会发生突变，这样经过光电信号转换，即可探测到终点位置。使用这种方法需要注意的是：1.所用于探测波长的物质必须要有足够的密度；2.必须要能够发生突变。
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