(A)产生的触发功率最大 (B)适用于大容量晶闸管 (C)锯齿波线性度最好 (D)适用于较小容量晶闸管
4-50.同步电压为锯齿波的晶体管触发电路,以锯齿波电压为基准,再串入( B )控制晶体管状态。 (A)交流控制电压 (B)直流控制电压 (C)脉冲信号 (D)任意波形电压 16-15. 单结晶体管触发电路产生的输出电压波形是(D)。
A、正弦波 B、直流电 C、尖脉冲 D、锯齿波
1-46.采用单结晶体管延时电路的晶体管时间继电器,其延时电路由( A )等部分组成。 (A)延时环节、鉴幅器、输出电路、电源和指示灯 (B)主电路、辅助电源、双稳态触发器及其附属电路
(C)振荡电路、记数电路、输出电路、电源 (D)电磁系统、触头系统 14-71. 如图所示单结晶体管振荡电路,决定控制角?的元件是( B )。 A、Re B、Re和Ce C、RB2 D、RB1
14-72. 晶体管触发电路适用于(C)的晶闸管设备中。 A、输出电压线性好 B、控制电压线性好 C、输出电压和电流线性好 D、触发功率小
( √ )11-87.晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。 ( × )6-99.单结晶体管具有单向导电性。
( × )14-84. 在单结晶体管触发电路中.单结晶体管工作在关状态. ( × )1-99.晶闸管无论加多大正向阳极电压,均不导通。 ( √ )11-112.晶闸管都是用硅材料制作的。 ( × )11-113.晶闸管的通态平均电压越大越好。 ( × )6-98.自激振荡器是一个需外加输入信号的选频放大器。 ( √ )11-114.晶体管触发电路要求触发功率较大。
15-28. 在单相半波可控整流电路中,电感Ld电感量越大,电流在负半波流动的时间( B )。
A、越短 B、越长 C、不变 D、变化不定
4-51.三相半波可控整流电路,若变压器次级电压为U2,且00<α<300,则输出平均电压为( A )。 (A)1.17U2cosα (B)0.9U2cosα (C)0.45U2cosα (D)1.17U2 6-59.单相全波可控整流电路,若控制角。变大,则输出平均电压( B )。 (A)不变 (B)变小 (C)变大 (D)为零 14-73. 单项全波可控整流电路,若控制角α变大,则输出平均电压(B)。 A、不变 B、变小 C、变大 D、为零
14-74. 三相半波可控整流电路,晶闸管承受的最大反向电压是(D)。
A、变压器次级相电压有效值 B、变压器次级相电压最大值 C、变压器次级线电压有效值 D、变压器次级线电压最大值
3-75.单相半波可控整流电路,若负载平均电流为10mA,则实际通过整流二极管的平均电流为( C )mA。 (A)5 A (B) 0 (C) 10 (D) 20 7-75.在三相半波可控整流电路中,控制角α的最大移相范围是( B )。 (A)90 o (B)150 o (C)180 o (D)360 o
8-56.三相半波可控整流电路,若负载平均电流为18A,则每个晶闸管实际通过的平均电流为( C )A。 (A)18 (B)9 (C)6 (D)3
16-61. 单向半波可控整流电路,变压器次级电压为20V,则整流二极管实际承受的最高反向电压为(B)。 A、20V B、202 V C、18V D、9V
13-50. 在单相桥式全控整流电路中,当控制角α增大时,平均输出电压Ud( B )。 A、增大 B、下降 C、不变 D、无明显变化
12-46. 单相桥式全控整流电路的优点是提高了变压器的利用率,( C ),且输出电压脉动小。
A、减少了晶闸管的数量 B、降低了成本 C、不需要带中间抽头的变压器 D、不需要维护
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( √ )13-94.在单相半波可控整流电路中,调节触发信号加到控制极上的时刻,改变控制角的大小,就实现了控制输出直流电压的大小。
( √ )7-99.单向半波可控整流电路,无论输入电压极性如何改变,其输出电压极性不会改变。 ( × ) 14-96. 单向可控整流电路中,二极管承受的最大反向电压出现在晶闸管导通时。 ( × )10-100.单项全波可控整流电路,晶闸管导通角β越小,输出平均电压越高。 ( √ )11-116.单向全波可控整流电路,可通过改变控制角大小改变输出负载电压。 ( × ) 16-97. 在三相半波可控整流电路中,若α>30°,输出电压波形连续。
( √ )11-160.三相半波可控整流电路中,若触发脉冲在自然换相点之前加入,输出电压波形变为缺相波形。
4-48.在脉冲电路中,应选择( B )的三极管。
(A)放大能力强 (B)开关速度快 (C)集电极最大耗散功率高 (D)价格便宜
14-54.在遥测系统中,需要通过( C )把非电量的变化转变为电信号。
A、电阻器 B、电容器 C、传感器 D、晶体管
6-47.半导体发光数码管由( C )个条状的发光二极管组成。 (A)5 (B)6 (C)7 (D)8
13-69.如图所示真值表中所表达的逻辑关系是( C )。 A、与 B、或 C、与非 D、或非 6-56.由一个三极管组成的基本门电路是( B )。
(A)与门 (B)非门 (C)或门 (D)异或门
7-73.符合“或”逻辑关系的表达式是( C )。 (A)l+l=2 (B)l+ l= 10 (C) l+l= l (D)1+1=0 8-53.数字集成门电路,目前生产最多且应用最普遍的门电路是( D )。
(A)与门 (B)或门 (C)非门 (D)与非门 8-54.TTL“与非”门电路是以( B )为基本元件构成的。
(A)电容器 (B)双极性三极管 (C)二极管 (D)晶闸管
P 3V 14-67. 如图表示的是( B )门电路。
3V A、或门 B、与门 C、非门 D、与非门 ( × )2-98.数字信号是指在时间上和数量上都不连续变化,且作用时间很短的电信号。 3V UGB 5V ( √ )4-98.最常用的数码显示器是七段式显示器件。
( √ )10-96.常见的七段式显示器有荧光数码管,液晶显示器和半导体发光数码管。 ( × )4-100.或门电路,只有当输入信号全部为1时输出才会是1。 ( √ )10-99.非门电路只有一个输入端,一个输出端。 ( × )11-111.在MOS门电路中,欲使NMOS管导通可靠,栅极所加电压应小于开启电压UTN。
( √ )1-82.电容器具有隔直流、通交流作用。 ( √ )11-149.电容滤波器会产生浪涌电流。
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()59、三相半波可控整流电路,若负载平均电流为18A,则每个晶闸管实际通过的平均电流为( C )。 A、18A B、9A C、6A D、3A () 296、或门逻辑关系的表达式是(A)。
A P=AB B P=A+B C P=A+B D P=AB () 320.计数器主要由( D )组成。
(A)RC环形多谐振荡器(B)石英晶体多谐振荡器(C)显示器(D)触发器 () 325.斩波器中若用电力场效应管,应该( B )的要求。 (A)提高对滤波元器件(B)降低对滤波元器件(C)提高对管子耐压
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(D)降低对管子耐压
() 326.电力晶体管是( A )控制型器件。 (A)电流(B)电压(C)功率(D)频率 () 327.绝缘栅双极晶体管具有( D )的优点。
(A)晶闸管(B)单结晶体管(C)电力场效应管(D)电力晶体管和电力场效应管 () 451.直流电动机调速所用的斩波器主要起( D )作用。 (A)调电阻(B)调电流(C)调电抗(D)调电压
() 465.将二进制数010101011011转换为十进制数是( A )。 (A)1361(B)3161(C)1136(D)1631 () 485.逻辑表达式Y=A+B属于( B )电路。 (A)与门(B)或门(C)与非门(D)或非门
() 486.TTL与非门输入端全部接高电平时,输出为(B )。 (A)零电平(B)低电平(C)高电平(D)低电平或高电平 () 487.或非门RS触发器的触发信号为( B )。 (A)正弦波(B)正脉冲(C)锯齿波(D)负脉冲 () 488.多谐振荡器( D )。
(A)有一个稳态(B)有两个稳态(C)没有稳态,有一个暂稳态 (D)没有稳态,有两个稳态,有两个暂稳态
() 322.在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中,负载电流是同时由( B )绕组承担的。 (A)一个晶闸管和一个(B)两个晶闸管和两个(C)三个晶闸管和三个(D)四个晶闸管和四个
()(√)16、高电位用“1”表示,低电位用“0”表示,称为正逻辑。 ()(×)15、在实际工作中整流二极管和稳压二极管可互相代替。
()(×)84、由于整流式直流电焊机仅由六只二极管组成,所以其成本很低。
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