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2.放大电路的静态是指电路工作在（C）时的状态。 A、输入幅值不变的交流信号 C、输入幅值为0的交流信号
B、输入频率不变的交流信号 D、电路的电源电压Vcc为0
3.图1所示电路引入的级间反馈为（C）负反馈。
A、电压并联 C、电压串联 A、触发器 C、译码器
B、电流并联 D、电流串联 B、寄存器 D、计数器
4.下列电路中属于组合逻辑电路的是（C）电路。
5.同步时序电路和异步时序电路比较，其差异在于后者（B）。
A、没有触发器 C、没有稳定状态 6.已知逻辑函数
B、没有统一的时钟脉冲
D、输出与电路原来的状态有关 ，其反函数 （B）。
三、在如图2放大电路中，已知VCC=12V，β=50，Rb1=60KΩ，Rb2=20KΩ，RC=4KΩ，Re1=100Ω，Re2=2.2KΩ，RL=4KΩ，试估算：(16分) ⑴静态工作点IB，IC，UCE。 ⑵画出微变等效电路。
⑶试求电压放大倍数Au、Ri和RO。 解：解：⑴VB=VCC．Rb2/（Rb1+Rb2）=3V
VE=VB-UBE=2.3V
IC≈IE=VE/(Re1+Re2)=1mAIB=IC/β=20μA
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UCE=VCC-IC．(RC+Re1+Re2)=5.7V
rbe=200+（1+β）26/IE=1526Ω ⑵微变等效电路如下图所示：
⑶Au=-βRC//RL/（rbe+（1+β）Re1）＝-15 Ri=Rb1//Rb2//（rbe+（1+β）Re1）≈6.626KΩ
RO＝RC＝4KΩ
四、电路如图3所示，设运放是理想的，试求出uo与ui1、ui2的运算关系式。（12分）
解：uo2＝uo
五、用卡诺图法化简如下逻辑函数为最简与或式。（6分） uN1＝u?P1 m(0,1,2,8,9,10) Y(A,B,C,D)=
解：Y=BC+BD
u－u＝u－u
六、写出图4所示电路Y的逻辑函数式，化简为最简与或式。列出真值表，分析电路的逻辑功能。（12分）
ABC 000 001 Y 0 1 页脚内容- 6 -
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解：Y1?ABC，Y2?A?Y1
Y3?B?Y1，Y4?C?Y1
010 011 1 1 1 1 1 0
?ABC(A?B?C)
Q1nQ0n Q1n+1Q0n+1 00 入信七、初态1.转换2.
01 10 01
真值表如右表所示。 该电路为判不一致电
100 101 110 111 路，当输为1。 触发器的分） 程和状态
号相同时，输出为0，反之分析如图5所示电路，设各均为0态。 (12写出电路驱动方程，状态方表，并画出状态图。 分析电路的逻辑功能。
解：1.驱动方程：J1=Q0n，J0?Q1n，K1=K0=1。
状态方程：Q1n?1?Q1nQ0n，Q0n?1?Q1nQ0n。
再列出状态转移表如下表所示：状态图如下图所示：
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2.电工学
10 11 00 00 电路实现三进制加法计数器。
下册复习题
第14章半导体器件
一、填空题：
1.PN结的单向导电性指的是PN结正向偏置时导通，反向偏置时阻断的特性。 2.硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为0.7V和0.3V。 3.晶体三极管有两个PN结，分别是发射结和集电结，分三个区域饱和区、放大区和截止区。晶体管的三种工作状态是放大状态、饱和状态和截止状态。
4.一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于饱和状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于截止状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为放大状态。
5.物质按导电能力强弱可分为导体、绝缘体和半导体。
6.本征半导体掺入微量的三价元素形成的是P型半导体，其多子为空穴。
7.某晶体三极管三个电极的电位分别是：V1＝2V，V2＝1.7V，V3＝－2.5V，可判断该三极管管脚“1”为发射极，管脚“2”为基极，管脚“3”为集电极，且属于锗材料PNP型三极管。
8.稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅二极管，工作在特性曲线的反向击穿区。 二、选择题：
1.处于截止状态的三极管，其工作状态为（B）。
A、发射结正偏，集电结反偏；B、发射结反偏，集电结反偏； C、发射结正偏，集电结正偏；D、发射结反偏，集电结正偏。 2.P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
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